结构镀层变化对sn3ag0.5cu合金焊料界面金属间化合物电迁移的影响-effect of structural coating changes on electromigration of intermetallic compounds at sn 3 ag 0.5 cu alloy solder interface.docxVIP
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结构镀层变化对sn3ag0.5cu合金焊料界面金属间化合物电迁移的影响-effect of structural coating changes on electromigration of intermetallic compounds at sn 3 ag 0.5 cu alloy solder interface
摘要在电子产品实际运行的过程中,焊点不仅会受到热载荷还会受到电载荷。由 于电子封装密度的不断提高以及电子产品的进一步微型化,微凸点直径和凸点之 间的间距日益变小,导致互连焊点中的电流密度的持续增长,并达到了 104A/cm2 甚至更高。超过这个临界电流密度,微凸点互连焊点内部会发生电迁移现象。本 文以 Sn3Ag0.5Cu 无铅焊料凸点为研究对象,研究了在通电的情况下,电流密度、 温度、焊接结构和凸点下金属层(Under Bump Metallization,简称 UBM)材料对 界面金属间化合物(Intermetallic Compound,简称 IMC)的生长规律的影响以及 电迁移失效的过程和原因,并对此展开了深入的讨论。全文主要内容和结论如下: 研究了对接结构焊点在电流的作用下,焊点界面 IMC 的生长规律。研究发现,在加载电流时效的过程中,阴极界面和阳极界面的 IMC 都随时间的延长而增长。 阴极的 IMC 形貌由扇贝状逐渐转变为平面状,而阳极的界面则堆积了大量的 Cu6Sn5。而且电流密度越大,阳极界面的 IMC 的生长速度越快,阳极 IMC 的厚度 的时间指数接近 1。研究了倒装芯片(Flip Chip,简称 FC)结构焊点在热时效和电流的作用下, 界面 IMC 的生长规律以及焊点在电流作用下的失效过程和原因。在热时效的过程 中,界面金属化合物 Cu6Sn5 随时间的而延长增长,其厚度与时间的平方根呈线性 关系。在电流的作用下,阳极界面 IMC 随时间的增长而快速增长,相同时效时间 后,通电后阳极界面 IMC 生长的厚度几乎是没通电的界面厚度的两倍。而阴极界 面 IMC 随时间的变化先基本不变后缓慢增长。与线性结构焊点不同的是,由于凸 点互连结构的特殊性,引起了电流拥挤效应和焦耳热效应。由 ANSYS 模拟可知, 电子流入口处和出口处的电流密度是平均密度的 3 倍左右,焊球温度高于周围温 度约 20°C~40℃,电流密度越大,焊球的温度越高。在电子风力的作用下,电子 流入口处的大量 Cu 原子迁移到焊料中,焊料则回填到 Cu 原子迁出而留下的位置, 最终,Sn 原子的回填速度小于 Cu 原子的迁出速度,导致焊球失效。温度相同时, 电流密度越大,失效时间越短。电流密度相同时,温度越大,失效时间越短。研究对比了电流对 Sn3Ag0.5Cu/Cu 和 Sn3Ag0.5Cu/Ni 界面 IMC 的生长规律的 影响。在回流后,焊球芯片侧 Ni/Sn3Ag0.5Cu 界面形成短棒状的(Cu, Ni)6Sn5,基 板侧 Sn3Ag0.5Cu/Cu 界面生成一层平坦的 Cu6Sn5。在焊点两侧加载 6A 的恒流电 流,发现芯片侧 Ni UBM 作阴极和基板侧 Cu UBM 作阴极时,焊点的界面 IMC 的 生长规律有所差别。阴极为 Cu UBM 时,Cu 的溶解速度更快,导致阴极 Cu UBM 和相接 Cu 导线部分溶解,焊点断裂失效。而相同时间内,Ni UBM 为阴极的焊球则没有失效。这是因为 Ni UBM 作为阻挡层,阻止了 Cu 的溶解,而且(Cu, Ni)6Sn5的激活能比 Cu6Sn5 更高,不容易分解出 Cu 原子,所以采用 Ni 做 UBM 可以提高 焊点的抗电迁移性能。关键词:Sn3Ag0.5Cu,电迁移,ANSYS,Ni UBM,失效时间ABSTRACTIn general, an electronic device during service is subjected to high temperature and current stress. Driven by the high-performance, multi-function and miniaturization of electronic devices, High-density packing technology has a rapid development in the past decade. The I/O number on the single chip has increased dramatically, the currentdensity reached 104A/cm2. Electromigration-induced failure in the solder bumpsbecomes an unavoidable issue. Thus, in this paper the effects of current density, temperature, Under Bump Metallization (UBM) materials and welding structure on the
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