微型计算机原理和 与应用第7章存储器系统.ppt

7.1 概述 7.2 读写存储器RAM 7.3 只读存储器ROM 7.4 存储器的组成 7.5 高速缓冲存储器 7.6 磁盘存储器;第 7 章 存 储 器 系 统;; 外存储器是CPU通过I/O接口电路才能访问的存储器，其特点是存储容量大、速度较低，又称海量存储器或二级存储器。 外存储器用来存放当前暂时不用的程序和数据。CPU不能直接用指令对外存储器进行读/写操作， 如要执行外存储器存放的程序，必须先将该程序由外存储器调入内存储器。 在微机中常用硬磁盘、软磁盘和磁带作为外存储器。 目前微机中作为内存储器的半导体存储器，其主要特点是采用大规模集成电路技术构成单个芯片形式或者大容量的条形动态存储器(SIMM DRAM)形式，因而使用方便，价格较低。  半导体存储器按存取方式不同，分为读写存储器RAM(Random Access Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。读写存储器指机器运行期间可读、可写的存储器。 ; 只读存储器指机器运行期间只能读出信息，而不能写入信息的存储器。RAM是随机存取存储器的意思，“随机存取”含意是指对存储器任何一个单元中信息的存取时间与其所在位置无关。它是相对于“顺序存取”而言的。 对顺序存取(或串行存取)的存储器(如磁带)，必须按顺序访问各单元，即信息的存取时间与其所在位置有关。对内存储器而言，随机存取存储器和读写存储器是一回事，读写存储器的英文缩写应为RWM(Read Write Momery)。由于拼读困难，都称作RAM。 读写存储器按信息存储方式可分为静态RAM(Static RAM, 简称SRAM)和动态RAM(Dynamic RAM, 简称DRAM)。 只读存储器有 3 种类型： ; 存储器存储的字节数常常很大，如 16 384、32 768、65 536，为了表示方便，常常以 1024 为 1 K，以KB为存储容量的单位，这样上述 3 个存储器的存储容量可分别表示为 16 KB、32 KB和64 KB。 显然， 存储容量是反映存储器存储能力的指标。 2) 最大存取时间 存储器的存取时间定义为存储器从接收到寻找存储单元的地址码开始，到它取出或存入数据为止所需的时间。通常手册上给出这个参数的上限值，称为最大存取时间。显然， 它是说明存储器工作速度的指标。最大存取时间愈短，计算机的工作速度就愈快。半导体存储器的最大存取时间为十几ns到几百ns。; 3) 可靠性 可靠性是指存储器对电磁场及温度等变化的抗干扰性， 半导体存储器由于采用大规模集成电路结构，可靠性高，平均无故障时间为几千小时以上。 4) 其它指标 体积小、重量轻、价格便宜、使用灵活是微型计算机的主要特点及优点，所以存储器的体积大小、功耗、工作温度范围、 成本高低等也成为人们关心的指标。 上述指标，有些是互相矛盾的。这就需要在设计和选用存储器时，根据实际需要，尽可能满足主要要求且兼顾其它。;7.2 读写存储器RAM;; 这对交叉耦合晶体管的工作状态是，当一个晶体管导通时，另一个就截止；反之亦然。假设T1导通，T2截止时的状态代表 1；相反的状态即T2导通，T1截止时的状态代表 0，即A点的电平高低分别代表 1 或 0。 当行线X和列线Y都为高电平时，开关管T5, T6, T7, T8均导通，该单元被选中，于是便可以对它进行读或写操作。 读操作：当读控制信号为高电平而写控制信号为低电平时， 三态门 1 和 2 断开，三态门 3 导通，于是触发器的状态(A点的电平)便通过T6, T8 和三态门 3 读出至数据线上， 且触发器的状态不因读出操作而改变。; 写操作：当写控制信号为高电平而读控制信号为低电平时， 三态门1和2导通，三态门 3 断开， 可进行写操作。若数据线为高电平，则三态门 2 输出的高电平通过T8, T6加至T1的栅极，具有反相的三态门 1 输出低电平通过T7, T5加至T2的栅极。不管T1, T2原来状态如何，迫使T1导通、 T2截止，使触发器置成 1 状态。若数据线为低电平时， 则与上述情况相反，迫使T1截止，T2导通，使触发器置成 0 状态。 2. RAM原理 利用基本存储电路排成阵列，再加上地址译码电路和读写控制电路就可以构成读写存储器。下面以 4 行 4 列的 16 个基本存储电路构成 16×1 静态RAM为例来说明RA