2012-04-18 IGBT并联方案.pdf

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2012-04-18 IGBT并联方案

IGBTIGBT并联并联方案方案 IGBTIGBT并联并联方案方案 ————北京北京晶川电子晶川电子 FAE FAE 周虎周虎 ————北京北京晶晶川电子川电子 FAEFAE 周虎周虎 一、一、 一个驱动器同时驱动几个一个驱动器同时驱动几个 IGBT 并联的电路并联的电路:: 一一、、 一个驱动器同时驱动几个一个驱动器同时驱动几个 并联的电路并联的电路:: IGBT 并联的接线图如上图所示: 要求满足以下要求: 1、一个 IGBT 对应一个适配板,且与 IGBT 紧密切合; 2、每个 IGBT 发射极需通过一个去耦电阻连接到驱动器; 3、尽可能做到驱动器到每个适配板的走线尽量短,长度及装配方式尽可能相同; 并联的好处有: 1、可以有效降低成本; 2、热设计相对于单模块来说好做一些; 二、二、 直接直接并联并联可能的危害可能的危害:: 二二、、 直接直接并联并联可能的危害可能的危害:: 2.1 静态不对称性静态不对称性:: 静态不对称性静态不对称性:: 主要表现在以下几点: 1) 各个各个 IGBT 的参数不平衡的参数不平衡。。 各各个个 的参数不平衡的参数不平衡。。 主要是由于 IGBT 的制造工艺与设计,使 IGBT 的参数一致性差。(如 VCEsat 、Vth 、Ron 等等)。 因此要进行并联的 IGBT 必须一致性较好,单体之间性能差异不大。在 IGBT 模块方 面,目前一致性做得较好的只有 Infineon。 2) 由于某些原因造成由于某些原因造成IGBT 的驱动电压的驱动电压V 差别较大差别较大。。 由于某些原因造成由于某些原因造成 的驱动电压的驱动电压 gate 差别较大差别较大。。 由于 IGBT 的驱动电压VGE 与工作电流 IC 的关系如下图: 1 即不同的V 对应不同的 I ,且V 越大对应的 IGBT 电流 I 也越大。 GE C GE C 并联的 IGBT 中VGE 较高的器件由于通过的电流相比其他 IGBT 更大,有可能由于过 温而损坏。 3) 模块温度不平衡模块温度不平衡 模块温度不平衡模块温度不平衡 由于工艺、装配或电路上某些因素影响,造成某些模块通过电流大或损耗较多,温 升较高,容易损坏。 对策对策:: 对策对策:: a) 选用器件参数一致性较好的品牌; b) 并联时尽量选择同一批次、相同型号以及相同生产日期的 IGBT; c) Infineon 的 IGBT 模块的

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