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2018-05-25 发布于北京
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TS5A23157 SCDS165D– MAY 2004– REVISED MAY 2008 双10Ω SPDT 模拟开关 FEATURES  Specified Break-Before-Make Switching DGS PACKAGE  Low ON-State Resistance (10 Ω) (TOP VIEW)  Control Inputs Are 5-V Tolerant  Low Charge Injection IN1 1 10 COM1  Excellent ON-Resistance Matching NO1 2 9 NC1  Low Total Harmonic Distortion GND 3 8 V+  1.8-V to 5.5-V Single-Supply Operation NO2 4 7 NC2  Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per IN2 5 6 COM2 JESD 78, Class II  ESD Performance Tested Per JESD 22 RSE PACKAGE – 2000-V Human-Body Model (TOP VIEW) (A114-B, Class II) COM1 – 1000-V Charged-Device Model (C101) IN1 1 10 9 NC1 APPLICATIONS NO1 2 8 V+  Sample-and-Hold Circuits GND 3 7 NC2  Battery-Powered Equipment NO2 4 5 6 COM2  Audio and Video Signal Routing  Communication Circuits IN2 DESCRIPTION/ORDERING INFORMATION TS5A23157 是一种双单极双掷(SPDT) 模拟开关, 其设计操作从 1.65 v 到5.5 v。该设备可以处理数字和模拟信号。可在任一方向传输多达5.5 V (峰值) 的信号.