利用界面修饰提高znomeh--ppv异质结近紫外发光性能的研究-study on improving near-ultraviolet emission performance of zno meh - ppv heterojunction by interfacial modification.docxVIP

北京交通大学硕士论文中文摘要中文摘要摘要：ZnO由于其优异的光电特性以及稳定的物理化学性质被越来越多的用于制作短波长发光器件，而日益成为人们关注的焦点。但是发光强度较低和ZnO的P型掺杂比较困难成为限制ZnO电致发光器件得到广泛应用的重要因素。本文中，我们采用步骤简单的水热法，制备出均匀生长，取向一致的ZnO纳米棒阵列。并且用此条件下制备的ZnO纳米棒和有机物MEH—PPV制备成异质结电致发光器件。并对器件在近紫外处的发光性能进行了改善。首先，我们通过在阴极方向添加电子传输层Alq3以改善器件的性能。在ITO上用水热法制备出整齐的ZnO纳米棒阵列，用匀胶旋涂的方法制备MEH．PPV溶液薄膜。在此基础上，通过真空蒸镀不同厚度的Alq3电子传输层制备对比器件。构造出ITO／ZnO／ZnO纳米棒／MEH—PPV／Alq3／AI器件结构。其中Alq3的厚度分别为10nm，15nm，20nm。通过实验我们得到最合适的Alq3电子传输层厚度为10nm。实验结果发现10nm电子传输层的加入，明显的抑制了激子在MEH．PPV处的复合，减少了MEH—PPV的发光，增强了ZnO在380nm处的发光。发光强度也有了显著提高，由初始的10nW左右增强至45nW左右。10nmAlq3电子传输层的加入明显的改善了器件的性能。其次，针对器件在阴极方向电子注入比较困难的问题。我们在阴极方向分别通过真空蒸镀LiF和匀胶旋涂Cs2C03的方法对阴极进行界面修饰。分别制备了结构为ITO／ZnO／ZnO纳米棒／MEH．PPV／LiF／Al和ITO／ZnO／ZnO纳米棒／MEH—PPV／Cs2C03／A1的器件。LiF的修饰较好的改善了电子注入的问题，使得器件电致发光光谱中，ZnO纳米棒在380nm处的发光比例有明显增加。较薄层的Cs2C03对器件性能的改善也较为明显。匀胶旋涂的Cs2C03也能改善阴极电子注入情况，不仅提高了380nm发光峰在总发光中的比重，也提高了器件的整体发光强度。再次，探索了在阳极修饰层PEDOT：PSS上用水热法制备ZnO纳米棒的条件。并且对此条件下生长的ZnO纳米棒和MEH．PPV形成的异质结的电致发光进行了研究，对实现短波长380nm发光条件进行了探索。关键词：ZnO纳米棒，电致发光，界面修饰分类号：047北京交通大学硕士学位论文ABSTRACTABSTRACTAbstract：ZnObasedlightemittingdiodeshavedrawnmoreandmoreattentionduetotheuniquepropertiesandadvantagesofZnO．Buttheweaknessoftheemittinglightandthedifficultiesofp-dopinghavebecomevitalelements，whichobviouslyrestrainthedevelopmentandthewideapplicationofZnO．Inthisthesis，weuseasimplesteptofabricateZnOnanorods，whichisgrowingverticallyontheITOsubstrate．WeusethisZnOnanorodsandMEH-PPVtofabricatelightemittingdiodes．TheimprovementsoftheUVlightemittingofthedevicehavebeenstudied．Firstly,weimprovetheperformanceofthedevicebyinsertinganelectrontransportlayernexttothecathodeA1．weusethehydrothermalmethodtofabricateZnOnanorodsonITOsubstratedirectly,thenMEH-PPVlayerisspin—coatedonpreparedZnOnanorods．Alq3thinfilmisdepositedonMEH—PPVbythermalvacuumevaporation．111estructureofthedevicesweobtainedisasfollows：ITO／ZnO／ZnOnanorods／MEH—PPV／Alq3／A1．nethicknessofAlq3is10nm，l5nm，and20nm，respectively．WefindthattheappropriatethicknessofAlq3is10nmthroughthisexperiment．Accordingtotheexperimentresults，agreatdecreaseoftheemitting