第二章 单晶材料的制备.ppt

第二章 单晶材料的制备 第一节 单晶材料的发展与概述 第二节 固相—固相平衡的晶体生长 第三节 从熔体中生长晶体（熔体法） 第四节 常温溶液法 第五节 高温溶液法 第六节 其它晶体生长方法 第一节 单晶材料的发展与概述 单晶不仅是人们认识固体的基础，而且，对单晶的研究，使人们发现了许多金属新的性质。铁、钛、铬都是软金属，而单晶晶须力学强度要比同物质的多晶体高出许多倍。研究晶体结构、各向异性、超导性、核磁共振等都需要完整的单晶体。 一、单晶体的基本性质 单晶是由结构构基元(原子、原子团，离子等)在三维空间内按长程有序排列而成的固态物质，或者说是由结构基元在三维空间内呈周期性排列而成的固态物质。 如大家所熟悉的水晶、金刚石和宝石等。 单晶体的基本性质为： (1)均匀性，即同一单晶不同部位的宏观性质相同。 (2)各向异性，即在单晶的不同方向上一般有不同的物理性质。 (3)自限性，即单晶在可能的情况下，有自发地形成一定规则几何多面体的趋向。 (4)对称性，即单晶在某些特定的方向上其外形及物理性质是相同的；这些特性为任何其他状态的物质如液态或固相非晶态不具备或不完全具备的。 (5)最小内能和最大稳定性，即物质的非晶态一般能够自发地向晶态转变。 二、单晶材料的分类和用途 单晶材料最常用的是按物理性质分类，如： 半导体晶体：硅单晶、锗单晶及ⅢA?ⅤA族化合物单晶均为重要的半导体材料，其中单晶硅为半导体器件的基础材料，优质的单晶硅可用于大规模集成电路。 激光晶体：红宝石（Cr3+：Al2O3）、掺钕的钇铝石榴石（Nd3+：Y3Al5O12）等单晶为固体激光器的核心材料。 非线性光学晶体：磷酸二氢钾（KH2PO4）、磷酸钛氧钾（ KTiOPO4 ）等单晶材料能实现激光的倍频、和频、差频、光参量放大，广泛用于激光技术中。 压电晶体：水晶（?-SiO2）、磷酸二氢铵（NH4H2PO4）、钛酸钡（BaTiO3）等单晶为常用的压电材料，主要用于声电换能器，如超声发生器、水听器、声纳等。 热释电晶体、闪烁晶体、超硬晶体 等 各种人工晶体 随着生产和科学技术的发展，天然单晶已经不能满足人们的需要 钟表业提出了对红宝石的大量需求 机械加工业提出了对金刚石的需求 电子工业提出了对半导体单晶的需求 超声和压电技术需要大量的压电水晶 光学工业提出了对冰州石的需求 三、晶体生长技术的发展 在工业上，半导体技术的发展，实际上很大程度取决于单晶生长研究的进展。从锗单晶向硅单晶的过渡．大大提高了半导体器件的性能，这一过渡正是由于人们掌握了反应性较强、熔点较高的硅晶生长的技术。大面积、高度完整性的硅单晶是解决大面积集成电路在密度和失效率方面的关键。 晶体生长的目的之一是制备成分准确，尽可能无杂质、无缺陷(包括晶体缺陷)的单晶体。 晶体生长是一种技艺，也是一门正在迅速发展的科学。 晶体生长大部分工作是从20世纪初期才开始的 1902年 焰熔法 1905年 水热法 1917年 提拉法 1952年 Pfann 发展了区熔技术 我国——现代人工晶体材料的研究 开创于上世纪50年代中期 领域的研究从无到有，从零星的实验室研究发展到初具规模的产业，进展相当迅速。 四、单晶材料的制备方法 单晶材料的制备（或简称晶体生长）：是将物质的非晶态、多晶态或能够形成该物质的反应物通过一定的物理或化学手段转变为单晶状态的过程。 晶体品种繁多； 生长方法不同； 设备品种多； 生长技术多样； 就生长块状单晶材料而言，通常是首先将结晶物质通过熔化或溶解的方式转变成熔体或溶液。然后控制其热力学条件使晶相生成并长大。 相应的晶体生长方法为熔体法、常温溶液法、高温溶液法及其他相关方法。 1、晶体生长的类型 (1)单组分结晶。在晶体生长系统内，除去痕量杂质或有意加入的低浓度掺杂元素外，现存的唯一组分就是要结晶的材料，在这种条件下生长单晶称为单组分结晶。 (2)多组分结晶。晶体生长也可以发生在杂质浓度或掺杂量很高的系统中。在这种情况下，要结晶的材料溶解在溶剂内或借助化学反应形成。因此，这样的生长是发生在除要形成晶体的组分外还有一个或几十个组分的系统中，称为多组分结晶。 2、常用的单晶生长方法 晶体生长有下列类型的复相化学反应： ①固体—晶体，②液体—晶体，③气体—晶体。 常用单晶生长方法分为： (1) 固相—固相平衡的晶体生长 (2) 液相—固相平衡的晶体生长 (3) 气相—固相平衡的晶体生长。 3、单晶材料的制备方法的选择 采用什么方法生长晶体是由结晶物质的性质决定的。 例如:结晶物质只有分解温度而无熔点，就不能采用熔体法，而应选择水溶液或高温溶液法生长其