第14章 半导体器件 电子技术知识 课件 ppt.pptVIP

绪 论 电子技术组成： 模拟电子技术： 数字电子技术： 处理连续的模拟信号 处理离散的数字信号 电子技术与电工技术区别： 1、用到粗略计算； 2、学习分析电路的方法； 3、含有集成电路—学习芯片的功能、连接等 第14章 半导体二极管及整流电路 14.3 半导体二极管 14.6 稳压二极管及并联型稳压电路 14.2 PN结及单向导电性 14.1 半导体的基础知识 14.4 整流电路 14.5 滤波器 14.1 半导体基本知识 导电物质可分为： 导体：金属 绝缘体：橡皮、瓷等 半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等 半导体的导电特性： 1、半导体导电能力受环境影响很大 （1）受温度： 当温度升高时，其导电能力增强 热敏元件 （2）受光照： 当光照增强时，其导电能力增强 光敏元件 2、半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强 一、本征半导体（纯半导体） 1、 Si：14个电子 2）8）4 Ge：32个电子 2）8）18）4 4价元素 价电子数可决定物质化学性质 2、晶体结构 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si Si Si Si Si 自由电子 空穴 本征激发产生成对的自由电子和空穴 3、本征半导体的导电机理 温度愈高或光照越强，晶体中产生的成对的自由电子和空穴便愈多。 自由电子和空穴形成两种载流子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 二、N型半导体和 P 型半导体（杂质半导体） 多余电子 磷原子 在本征半导体中掺入微量的5价元素 ，形成N型半导体。 Si Si Si Si p+ 在常温下即可变为自由电子 1、N型半导体 多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴 14.2 PN结及单向导电性 一、PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 扩散的结果使空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 1、扩散运动 由于浓度不同，多子运动，形成内电场，阻碍了多子继续扩散。 2、漂移运动 少子在内电场的作用下形成漂移运动。 二、PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF 外电场克服内电场，使多子不断扩散，形成较大的扩散电流，此时PN结呈现低阻，处于导通状态 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + 动画 + – PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 P接负、N接正 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 动画 – + PN 结变宽 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 外电场加强内电场，使多子不能扩散，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 IR P接负、N接正 动画 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 14.3 半导体二极管 一、基本结构、符号 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 ( a ) 点接触型 二极管就是一个PN结。 1、结构： P区为正（阳）极，N区为负（阴）极 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 ( b ) 面接触型 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 阴极 阳极 D 2、符号： 二、伏安特性 硅管0.5V, 锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于