第6章3场效应管 《电路与模拟电子技术知识原理》课件.pptVIP

电路与模拟电子技术原理 第六章 半导体元器件 第6章 半导体元器件 6.1 从电子管到晶体管 6.2 半导体 6.3 半导体二极管 6.4 晶体管 6.5 场效应晶体管 6.5 场效应晶体管 场效应晶体管（FET）是利用电场效应来控制半导体中电流的半导体器件。 起控制作用的电极称为栅极→基极； 漏极→集电极 源极→发射极。 改变施加在场效应管栅极上的电压，就可以控制漏极和源极之间的电流，所以场效应管是一种电压控制型器件； 与之对比，晶体管通常被看做电流控制型器件，用基极电流控制集电极电流。 6.5 场效应晶体管 场效应管比晶体管噪声更低、热稳定性更好、抗辐射能力更强、输入阻抗很高。 6.5.1 结型场效应管 6.5.2 绝缘栅型场效应管 6.5.3 场效应管的特性 6.5.4 场效应管的应用 6.5.1 结型场效应管 Junction Field-Effect Transistor，JFET 1．结型场效应管的基本结构 结型场效应管的工作原理（续） 结型场效应管的工作原理（续） 结型场效应管的工作原理（续） 3．结型场效应管的特性曲线 结型场效应管的特性曲线（续） 可变电阻区 恒流区、放大区或饱和区 夹断区 击穿区 恒流区特性 6.5 场效应晶体管 6.5.1 结型场效应管 6.5.2 绝缘栅型场效应管 6.5.3 场效应管的特性 6.5.4 场效应管的应用 6.5.2 绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管的栅极是“绝缘”的，其栅源间的电阻非常大； 低功耗、结构简单 栅极（通常用金属铝制作）与半导体之间存在一个二氧化硅薄层，形成“金属-氧化物-半导体”这样的结构，所以绝缘栅型场效应管通常被称为MOS场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET）。 1．绝缘栅型场效应管的基本结构 根据导电沟道的不同特性，IGFET分为 N沟道 P沟道 增强型（Enhancement-type） 耗尽型（Depletion-type） 绝缘栅型场效应管的基本结构（续） 4种IGFET的电路符号 虚线表示增强型，实线表示耗尽型； 箭头总是从P区指向N区，所以箭头向内代表N沟道，箭头向外代表P沟道。 2．绝缘栅型场效应管的工作原理和特性曲线 绝缘栅型场效应管是一种电压控制型器件， 栅极和源极之间的电压UGS为控制信号， 漏极电流ID为被控制信号。 （1）N沟道增强型IGFET IGFET不能像JFET那样靠改变耗尽层宽度来控制漏极和源极间沟道的导电性能。 ① UGS对ID的控制作用 UGS对ID的控制作用（续） ② UDS对ID的控制作用（续） ③ N沟道增强型IGFET的特性曲线 N沟道增强型IGFET在恒流区的转移特性 其中ID(on)称为通态漏极电流（On State Drain Current），它是UGS＝2UGS(th)时的ID值。 N沟道增强型IGFET特性曲线（续） * *