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第三章 IC卡的芯片技术知识 智能卡 .ppt
第三章 IC卡的芯片技术;主要内容:;3.1 IC卡芯片技术的特点和应用概况;存储器类型
;; (3) 2-wire serial interface(双线串行接口)
(4) 支持ISO/IEC 7816-10 同步协议
(5) 高可靠性:
2. 芯片的封装;A0A1A2器件寻址:;存储卡的封装;SCL(串行时钟):SCL上升沿将数据输入到EEPROM芯片,下降沿将EEPROM中的数据输出。
SDA(串行数据):双向串行数据传送端,该端采用漏极开路驱动,可以与其它漏极开路或集极开路器件进行“线或”。
A2、Al、A0(器件/页地址):器件地址输入端,应用于标准封装中,当在IC卡中使用时,不将A2、A1、A0引到触点上.;3.EEPROM逻辑图;4. 器件操作;“开始”状态:
“停止”状态:;SCL BIT P1.7 SDA BIT P1.6 DEVICEAD_W DATA ;写卡器件地址 DEVICEAD_R DATA ;读卡器件地址 开始条件(START_IC) 在开始条件下,当SCL为高电平时,SDA由高转为低。程序如下: ;停止条件(STOP_C) 在停止条件下,当SCL为高电平时,SDA由低转为高。
程序如下: STOP_IC:
CLR SCL NOP NOP CLR SDA NOP NOP SETB SCL NOP NOP SETB SDA
NOP
RET ; 确认:;5. 器件寻址
1K、2K、4K、8K、16K、32K各种芯片在开始状态后总是跟着一个8位的器件地址码,使芯片能执行读/写操作。;6. 写操作
当器件地址码中最低位(读/写选择位)置于0时,表示本次操作为“写”操作。写操作有两种: (1)写字节 (2)写页面;写一字节数据到IC卡(WR_BYTE) 在下列程序中,参数A表示源数据,R5表示字节位数。 WR_BYTE:
MOV R5,#08 ;一字节8位数据 CLR SCL NOP WR_BYTE1:
RLC A ;带进位位左移,Acc.8-C MOV SDA,C ;SCL低电平时改变SDA上的数据 NOP SETB SCL ;拉高SCL把数据发送出去 NOP NOP CLR SCL NOP NOP ;字节写入模式写数据(WRITE_BYTE) 下列程序中的参数为:R6=目的地址,A=数据;数据如下: WRITE_BYTE:PUSH ACC ;保存A中的数据 LCALL START_IC ;发开始信号 MOV A,#DEVICEAD_W;写入器件地址 LCAL WR_BYTE MOV A,R6 ;写入字节地址 LCALL WR_BYTE POP ACC ;恢复A中数据 LCALL WR_BYTE ;写入数据 LCALL STOP_IC RET ; (2) 写页面??;7. 读操作
当器件地址码中最低位(读/写选择)置于1时,表示本次操作为“读”操作。读操作有三种:
现行地址读取、随机地址读取和顺序读取。;(1) 现行地址读取:; (2) 随机地址读取:;(3) 顺序地址读取:;8. 直流特性;9. 交流特性;3.3 逻辑加密卡芯片的特性分析(接触式);(1)写入操作:
是指往芯片内的存储区写入数据‘0’的操作。芯片的存储器内EEPROM构成,而EEPROM有其持有的读写机制,写入就是指写‘0’的操作。
(2)擦除操作
是指往芯片内的存储区写入数据‘1’的操作。芯片的存储器内EEPROM构成,而EEPROM有其持有的读写机制、擦除就是写‘1’的操作。需要特别指出的是,擦除操作是按行进行的、对一行的任意一位进行擦除操作,其结果是擦除整行。
(3)熔断操作
物理的熔丝,是指用外加入电流将芯片内熔丝烧断的过程;
EEPROM单元来表示一种熔丝信号.
区别:物理熔丝烧断后是不能再接通的,EEPROM可能通过擦除恢复成‘1’, ;(4)个人化:
个人化是指IC卡由发行商发行给个人的过程。在这个过程中由发行商按要求往EEPROM中写入发行商代码、用户密码以及用户身份标识,分别写入IZ、SC、CPZ区,并将应用区全部擦除,随后交付给个人使用。
(5)密码错误计数:
用户使用逻辑加密卡时,首先输入用户密码。在卡中设置有用户密码比较计数区。设置该区的目的是防止人为地对密码进行猜测,用该区来累计不正确的密码输入比较次数。当连续四次密码比较均不正确后,卡将自锁;拒绝以后的任何操作。;三、 逻辑加密卡功能框图;四、 芯片内部存储区域分配
(1)制造商代码区(Fabrication Zon
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