第三章微机械制造技术知识 微机电系统技术知识基础课件.pptVIP

微机电技术基础 三、腐蚀停止技术 重参杂自腐蚀停止技术 腐蚀停止与掺杂原子浓度的关系 （1）腐蚀机理只能说明硅被腐蚀的原因，腐蚀速率则依赖于掺杂形式和浓度，对于HF—HNO3系统，重掺杂材料的硅衬底由于游离载流子的利用率较高，故可保持较高的腐蚀速率。 （2）对于各向异性的腐蚀液KOH而言，掺杂原子浓度对腐蚀速率产生相反的作用。其中的原因，迄今尚缺乏透彻的解释。 （3）由此可见，只要在单晶硅表面进行硼重掺杂，就可以使重掺杂区的腐蚀速率远小于其他非掺杂区域，使腐蚀自动停止在两者的交界面上。（注意，由于重掺杂，使内部产生较大的内应力，其应用受到限制。） 当硅中掺杂的硼浓度大于1019cm-3时，各向异性腐蚀液对重掺杂硅的腐蚀速率将显著下降，与轻掺杂硅的腐蚀速率比可达100以上，重掺杂自停止技术就是利用这一特性实现的。 腐蚀停止技术 微机械制造技术 2.电化学（阳极）腐蚀停止技术 （1）概述：电化学腐蚀时，接硅的电极称为工作电极，加正电；另一电极是负极，称辅助电极 （2）电化学腐蚀原理：由于在硅与溶液界面处的硅表面上堆积有空穴，故在外接电压作用下，硅将不断被腐蚀，并生成可溶性硅氧化物离开硅表面。 （3）各向同性腐蚀液，由于重掺杂的硅衬底比生长在其上的轻掺杂硅层的电导率高，故重掺杂层能更快被腐蚀掉。这项技术已成功地应用于掺杂结构的腐蚀成形。 N-Si的电化学腐蚀 N-N+,P-N+多孔硅 N-P+,P-P+表面不规则 微机械制造技术 （4）电化学腐蚀停止技术对于用各向异性腐蚀剂（如KOH）实现腐蚀自停止更有效，也叫P-N结腐蚀停止法。 原理：P型硅的钝化电势比N型硅的钝化电势高，这个电势差表明了一种具有选择性的腐蚀方法，即在两个钝化电势之间加一个电势，就可以只腐蚀P型硅，而N型硅不被腐蚀。 钝化电势：当硅片放在腐蚀剂中，其中的电流随着电压的增加而增加，但到达某一点是电流突然陡降，定义电流最大处的电势为钝化电势。 微机械制造技术 图3-9 N型硅和P型硅在EDP腐蚀液中的I-V特性 当时加电压低于VPP时，硅被腐蚀，高于VPP时，腐蚀停止，氧化层生成，硅表面被氧化。 P型硅外延N-Si 问题：残留2-3μmP型膜。 PN结子停止腐蚀四电极系统 微机械制造技术 P-N结腐蚀停止法的三电极与四电极比较 4电极结构能将P型硅相对于参考电极控制在开路电势上，同时给P-N结加上一个反偏电压，这样就能实现腐蚀停止在N型硅外延层的界面上。 微机械制造技术 各向异性腐蚀在硅的体加工中的应用 （1）包括成型各种微传感器、微执行器、微喷嘴、真空微电子器件 （2）在扫描隧道显微镜及原子力显微镜等中的各种三维微结构。 应用举例 总结 化学腐蚀 ☆各向异性腐蚀 ☆各向同性腐蚀 ☆腐蚀停止技术 思考题： 试论述硅各向异性腐蚀的机理，掺杂对腐蚀的影响及在腐蚀停止技术中的应用。 微机械制造技术 3.1.1.2离子刻蚀 1.概述 化学腐蚀的方法是先在硅晶片上用光刻胶和掩膜形成图案，然后在腐蚀液中进行腐蚀；但对于高精度图案，特别是侧面垂直度要求严格的图案，化学腐蚀法很难达到预期的效果。 2.离子刻蚀包括等离子体刻蚀、反应离子刻蚀（也称反应溅射刻蚀）等干法刻蚀。 干法刻蚀又叫等离子刻蚀（plasma etching)：所谓干法刻蚀通常是指所有在真空条件下，用某种气体对试样进行刻蚀。等离子刻蚀则泛指所有由等离子体激发的刻蚀。 干法刻蚀：反应离子刻蚀(RIE)；深反应离子刻蚀(DRIE)；溅射刻蚀及气相刻蚀 用于MEMS加工的刻蚀其基本原理是将某种抗刻蚀材料构成的几何图案覆盖在基片上，受到抗刻蚀材料保护的地方不被刻蚀，而没有保护的地方被刻蚀，从而达到将由抗刻蚀材料构成的图案转移和复制到基片上的目的。 微机械制造技术 概念 等离子体又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，它是除去固、液、气外，物质存在的第四态。 在等离子体刻蚀设备的反应腔内的气体（CF4,O2等）通过电或电磁激发产生等离子体。等离子体是一种很好的导电体， 为了束缚电子从电极逃离等离子体，等离子体被置于较高的电位上，靠近电极附近电场强度较大，离子在接近电极时，在很大的电动势的驱动下加速奔向电极。 * * 第三章微机械制造技术 概述 微机电系统的整体尺寸都比较的小，最小尺寸达到微米到亚微米，甚至达到纳米，特征尺寸如此小的元器件，不能采用传统的精密机械制造方法，而应采用以腐蚀和表面显微加工为基础的微米和纳米加工技术，这种技术目前主要分为硅微加工技术、LIGA技术及特种精密加工技术。由于硅是制造微机电系统应用最多的材料，所以硅微加工技术是本章的重点. 微机械加工技术 微米和纳米制造技术 硅微加工技术 LIGA技术 特种精密加工