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微电子元器件与项目训练 授课教师：余菲 第1章 半导体物理以及PN结 教师：余菲 电子邮件：yufei198275@oa.szpt.net 电话讨论主题： 1.半导体的晶格结构 2.半导体能带与载流子分布(半导体的导电原理) 3.载流子的输运(半导体的导电规律) 4.PN结电学原理 5.PN结的特性 1.半导体的晶格结构 晶体与非晶体(单晶) 面心立方与体心立方 金刚石的结构 立方晶系: 晶胞： 晶向： 缺陷： 弗兰克（成对的点缺陷）肖特基（单个点缺陷），其他 能带的形成 保利不相容原理：任何两个电子不可能处于完全相同的两个量子状态 能带：在固体中的原子核外的能级，由于保利不相容原理分裂成很多能量状态接近的能级形成能带 费米分布函数 电子与空穴的形成 费米分布函数：电子分布在某个能量的概率 费米能级：在半导体中不变，电子分布的参考值 如何使用费米分布函数解释P型半导体与N型半导体 由费米能级得到的一个重要结论 在一定温度下，半导体导电的空穴电子条件：ni ? pi = n02 = p02 其中n0为纯净的硅中电子的浓度， p0为纯净的硅中空穴的浓度（本征载流子浓度） 强电离条件：如果参如杂质浓度不是特别低，而温度在室温或者以上，通常所有的杂质都是强电离的 例：已知在某室温温度下，硅的本征载流子浓度为2*1010cm-3,此时加入杂质ND（ ND 代表掺入施主，NA 代表掺入受主）浓度为4*1016cm-3，求此时的多子浓度和少子浓度。 3.载流子的输运 输运的概念 扩散与漂移 扩散系数与迁移率 漂移电流 Jn=nqunE Jp=pqupE 扩散电流 Jn,d=qDn(dΔn/dx) Jp,d=qDp(dΔp/dx) 黄昆早年在爱丁堡大学与著名物理学家、诺贝尔奖得主玻恩教授一起从事研究工作，合著了在固体物理学界享有声誉的《晶格动力学》一书。1956年，黄昆在北京大学物理系任教授期间，参与创建了中国第一个半导体物理专业，为中国信息产业培养了第一批人材。在北京大学任教期间，黄昆还主持本科生教学体系的创建工作，并著有《固体物理学》教材，享有盛誉。1977年后，在邓小平的过问下，黄昆出任中国科学院半导体研究所所长。2005年7月6日，16时18分，黄昆在北京逝世，享年86岁。 4.PN结电学原理 空间电荷区与外加电压关系 PN结电流的构成 单向导电性的感性认识和理性认识 电流构成：漂移流+扩散流 少子扩散和多子漂移占主导地位 空间电荷区不损失载流子假设 总电流为2中扩散流之和 用能带图出发解释PN结原理 小挑战:请画出PN节平衡时的能带图,正偏时的能带图,反偏时的能带图. 5.PN结的特性 5.1直流特性 5.2结构特点与特殊应用 5.3开关特性 5.3二极管的开关特性 PN结的开关特性、开关应用 小提示：自己阅读教材回答（p101？p103-107？） 1.什么是扩散电容，什么是势垒电容？ 2.为什么PN结正向恢复时间和反向恢复时间不等？ 3.有哪些因素可以影响反响恢复时间？ 4.如何提高二极管的反响恢复时间？ 请同学认真复习准备考试 （参考作业、实训报告） 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 PN结加正向电压时的导电情况 低电阻 大的正向扩散电流 PN结的伏安特性 5.1直流特性总结 PN结的伏安特性 2.2.2 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (2) PN结加反向电压时 PN结加反向电压时的导电情况 高电阻 很小的反向漂移电流 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 PN结的单向导电性 (3) PN结V- I