深亚微米_纳米半导体器件模型.pdf

深亚微米/纳米半导体器 深亚微米/纳米半导体器 件的模型 件的模型 杜 刚 杜 刚 Institute of Microelectronics PKU Institute of Microelectronics PKU 深亚微米/纳米半导体器件模型 深亚微米/纳米半导体器件模型 半导体器件模型简介 The model is always distinct from the physical device. 模型总是近似的（但分为不同的层次） Compact model 适于电路模拟的器件模型 适于电路模拟的器件模型 简练模型 Institute of Microelectronics PKU Institute of Microelectronics PKU 半导体器件模型简介 简练模型的要求： 准确反映基本性能──高精度 计算速度快、收敛性好──效率高 模型参数有物理意义，参数少，易提取──物理模型 模拟范围大──有预见性 Institute of Microelectronics PKU Institute of Microelectronics PKU 半导体器件模型简介 建模的内容： 分类： 直流模型 物理模型 电容模型 经验模型 交流小信号模型 半经验模型 温度模型 数值模型 噪声模型 统计模型 Institute of Microelectronics PKU Institute of Microelectronics PKU IC设计中使用的器件模型 • MOSFET – Level 1 、2 、3、4 ；BSIM3 ；BSIM4; – Philips MOS9; EKV • 双极晶体管 – Eber-Moll; Gummel-Poon; MEXTRAM; – HICUM;VBIC95 • 电阻、电容 Institute of Microelectronics PKU Institute of Microelectronics PKU SPICE中的MOSFET模型 在SPICE 中包含着五种基本的MOSFET模型，以供用户按 具体情况选用，其中： Level=1 Shichman—Hodg