sol-gel法掺杂zno薄膜的制备及光电性能研究-preparation and photoelectric properties of zno thin films doped by sol - gel method.docxVIP

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sol-gel法掺杂zno薄膜的制备及光电性能研究-preparation and photoelectric properties of zno thin films doped by sol - gel method

ABSTRACTnear UV and a deep level emission in blue region. As the Cd doping concentration was increasing,the UV emission peak shifted towards the longer wavelengths; on the contrary, the peak shifted to the shorter wavelengths when we increased the Mg concentration, which revealed the same result as the transmission spectrum.4.The electrical properties of the ZnO:Cd thin films were studied. A minimum resistivity of 8.47kΩ· cm was obtained at a doping concentration of 8at%; while the optimal electricity conduction at a annealing temperature of 600℃.Key Words: ZnO:Cd thin film, ZnO:Mg thin film, sol-gel, optical and electrical properties, optical bandgap目录目录第一章 绪论 .................................................................................................................... 11.1 引言 ............................................................................................................................ 11.2 ZnO 薄膜的基本性质21.2.1 ZnO 薄膜的晶体结构 31.2.2 ZnO 薄膜的性能及其应用 41.3 ZnO 薄膜的制备方法 101.4 论文研究的目的和意义.......................................................................................... 13第二章 溶胶-凝胶成膜理论和分析方法..................................................................... 152.1 溶胶-凝胶法概述..................................................................................................... 152.2 薄膜的分析方法及原理 .......................................................................................... 20第三章 溶胶-凝胶旋涂制备 ZnO 薄膜283.1 实验准备 .................................................................................................................. 283.1.1 试剂的选用 ....................................................................................................... 283.1.2 实验器材和设备 ............................................................................................... 293.1.3 基片的清洗 ....................................................................................................... 293.2 薄膜的制备 ..............................................................................

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