tan薄膜材料及微波功率薄膜电阻器分析-analysis of tan thin film materials and microwave power thin film resistors.docxVIP

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2018-05-28 发布于上海
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tan薄膜材料及微波功率薄膜电阻器分析-analysis of tan thin film materials and microwave power thin film resistors.docx

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tan薄膜材料及微波功率薄膜电阻器分析-analysis of tan thin film materials and microwave power thin film resistors

摘要率薄膜电阻器的结构和性能，获得了四个电阻器的结构与尺寸，且每个电阻器在各自频率范围内的驻波比均小于1.2。在TaN微波功率薄膜电阻器制备和测试方面，根据设计仿真结果，采用反应直流磁控溅射技术和掩膜图形化技术制备了系列TaN微波功率薄膜电阻器，所制备的系列微波功率薄膜电阻器的TCR绝对值均小于100ppm/℃，在满功率测试期间电阻器表面温度均在120℃以下，在功率负载测试前后电阻器阻值变化均在3%以内，在设计的频率范围内微波功率薄膜电阻器的电压驻波比均小于1.2，测试结果与设计结果相一致。关键词：TaN薄膜，微波功率薄膜电阻器，电阻温度系数，驻波比ABSTRACTABSTRACTMicrowavepowerthinfilmresistorswerewidelyusedasanimportantcomponentofRFandmicrowavesysteminradar,communications,electroncountermeasureetal.Inthisthesis,firstly,TaNfilmswerepreparedbyDCreactionmagnetronsputtering.TheinfluencesofN2partialflow,filmthickness,AldopingandTaN/Almultilayeronthemicro-structureandtheelectricpropertieswereinvestigated.Secondly,theequivalentcircuitmodelwasestablishedbasedonlossytransmissionlinetheory,andthedimensionsandcharacteristicsweredesignedandsimulatedbyHFSSsoftware.Atlast,TaNmicrowavepowerthinfilmresistorswerepreparedbyDCreactionmagnetronsputteringandpatterntechnologyaccordingtothesimulationresults.Themainresultsareasfollows.IntheaspectofTaNthinfilms,theresultsshowthattheresistivityandabsoluteTCRoftheTaNfilmsgoupgraduallywiththeincreaseofthenitrogenpartialflux.Withincreaseofthenitrogenpartialfluxfrom2%to6%,theresistivityofthesamplesareincreasedfrom344μΩ·cmto1030μΩ·cm,andtheabsoluteTCRofthesampleareincreasedfrom30ppm/℃to750ppm/℃.However,themaincrystallinephasesexistingintheTaNfilmsareTa2Nwhennitrogenpartialfluxislessthan5%,whichcouldleadtolowerabsoluteTCR.ThemaincrystallinephasesexistingintheTaNfilmsareTaNandTa3N5whennitrogenpartialfluxislargerthan5%,whichpossesshigherabsoluteTCR.TheelectricalpropertiesofTaNfilmsaresignificantlyaffectedbythethicknessoffilms.TheresistivityandabsoluteTCRoftheTaNfilmsaredecreasedslowlywiththeincreaseofthethicknessofTaNfilms.Whenthethicknessoffilmsareincreasedfrom30nmto280nm,theresistivityofthesamplesaredeclinedfrom519μ?·cmto210μ?·cm,andtheabsoluteTCRofthatarealsodescendedfrom150ppm/℃to30ppm/℃.FortheTaNthinfilmwithdopingAl,theresistivityandabsoluteTCRoftheTaNfilmsareincreasedmoderatelywiththeratiosoftheAl/Taarea.Whenther