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resultshowsthatbasicfunctionof4Tpixeliscompleted,butthecharacteristicisstillneedstobestrengthened,especiallythedarkcurrent.Tosumup,thispaperintroducesthedesignoflargesizepixelappliedinTDICMOSimagesensorwiththeimprovedchargetransferefficiency.Thetapedoutwaferturnedthatthebasicfunctionofpixeliscompleted.Thispapercanbeusedbythepixeldesignertoimprovechargetransferefficiencyof4-Tpixel,especiallyforthepixelinTDICMOSimagesensorandlargesizepixel.Keywords:CMOSimagesensor;TDICMOSimagesensorpixel;chargetransferefficiency;tapeoutprocesscondition;pixelmeasurement;目录第一章绪论11.1CMOS图像传感器概述11.2课题背景与目标41.3论文结构安排5第二章TDI型CMOS图像传感器像素62.1CMOS图像传感器4T像素原理62.1.1像素工作过程62.1.2像素工作时序82.2TDI型CMOS图像传感器工作原理简介92.3TDI型CMOS图像传感器的像素设计重点与难点11第三章TDI型CIS像素工艺基本流程133.1软件仿真平台介绍13Sentaurus二维仿真15Sentaurus三维仿真183.2像素工艺具体流程203.2.1外延213.2.2浅沟槽隔离Trench213.2.3栅前离子注入223.2.4栅的形成243.2.5N埋层注入SEN以及轻掺杂漏NLDD2263.2.6SPACER的形成283.2.7源漏重掺杂注入NPLUS以及表面嵌位层CPI2注入30第四章TDI型CIS像素设计334.1PPD的设计334.2非均匀传输沟道364.3传输沟道与PPD的连接区域394.3.1R1区与传输栅交叠长度调整404.3.2R1区掺杂剂量调整414.3.3APT注入交叠长度调整424.4调整效果43第五章TDI型CIS像素流片及测试455.1像素流片工艺条件455.1.1栅前栅后两次N型注入形成N埋层455.1.2栅后一次倾斜N型注入形成N埋层465.1.3栅后一次垂直N型注入形成N埋层485.1.4APT注入对漏电的影响485.1.5流片工艺条件535.2像素流片版图设计545.2.164×128像素阵列版图设计545.2.22×16像素阵列版图设计555.3像素测试分析565.3.1像素功能测试分析585.3.2像素满阱容量测试分析595.3.3像素暗电流测试分析61第六章总结与展望646.1总结646.2展望64参考文献65发表论文和参加科研情况说明69致谢70第一章绪论使用电子技术进行图像的录制、存储与处理已经有很长的一段时间。自从20世纪60年代贝尔实验室提出成像器件之后,70年代德州仪器(TexasInstruments)提出了最早的使用电子技术摄制图像的专利。而随着科技与经济的发展,人们对于图像的存储以及传播有着越来越强烈的需要,而数字技术的飞速发展实现了人们的需要。数字照相机、数字摄像机、工业控制、安防、监控、视频会议、智能手机等等领域的发展,推动着整个固体图像传感器的快速发展[1]。一直以来,由于CMOS图像传感器(CMOSImageSensor,CIS)成像质量较差,噪声较高,未被广泛采用。但是,随着工业界对低成本、低功耗、高集成度等要求越来越高,而同时半导体工艺与设计水平的不断发展,也使CIS性能不断提高。近年来CIS呈现出爆炸式的发展,而对其的研究也变得越来越重要[2,3]。1.1CMOS图像传感器概述CMOS图像传感器(CMOSImageSensor,CIS)是指使用CMOS工艺制作的图像传感器,与CCD图像传感器需要自身特殊的工艺线不同,CIS可以在普通的CMOS工艺线上实现,并能够与CMOS图像处理电路集成,因此在降低成本的同时又可以极大的提高其集成度。如下图1-1所示是CIS的典型系统架构图。图1-1图像传感器架构图由上图可以看出,整个CIS系统大致如下所述[4]。首先需要一个大的光学透镜(ImagingOptics),收集被摄物体反射的光信号。之后通过微透镜阵列(MicrolensArray)将进入镜头的光分散以射入各个不同的像素,对于彩色图像传感器,还需要
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