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固体磁性第五章
*当外场H与相邻磁畴的Ms成相等的角度, 畴壁不会发生位移,而是两侧磁畴的Ms发生转动, 畴壁中转动的总角度随H增大而减小.达到饱和时,?=0,畴壁消失. 38.38 (2) 薄膜中的Neel畴壁 在薄膜中,Bloch壁的Ms绕着畴壁法线方向旋转,壁上无磁荷, . 但在畴壁与薄膜表面交界处 , 有磁荷出现. 畴壁能?随薄膜厚度降低而升高. * (b) 薄膜中Neel壁的Ms绕薄膜法线方向旋转. 薄膜表面无磁荷,但畴壁上出现磁荷. 畴壁能?随薄膜厚度降低而降低. 能够得到最佳的δ 和 ? * Neel壁的Ms绕薄膜法线方向旋转, 在畴壁内 ,出现磁荷, 但薄膜表面无磁荷. 对于较薄的薄膜, Neel畴壁的能量 比Bloch畴壁能 低. NiFe薄膜,当 出现Bloch畴壁; 当 , 出现Neel畴壁; 当 , 出现枕木型(cross tie)畴壁. * 枕木型畴壁 * (3) 磁泡和垂直Bloch线(VBL). 38.42 * 5-3 磁畴结构 1、 大块材料磁畴宽度和表面畴 内部畴: 一般较简单及均匀分布. 宽度依赖于样品尺寸L及表面畴. 单轴晶体的表面畴结构. (1) 单轴晶体中的开放的畴结构. * (2) 表面封闭畴 (a) 单轴晶体: , (b) 立方晶体 , 38.44 (c ) 实验发现, 表面畴样式随材料性能, 厚度及表面取向而不同, 多种多样. * 38.46 38.47 * * (3) 多晶体中的磁畴结构和畴宽. 相邻晶粒的磁畴往往连续,畴壁跨晶界 * 2、缺陷对磁畴的影响 (1) 内应力的影响 a、 出现成团的180o畴. b. l ~D, ?=0处为90?畴壁 . * (2) 非磁性掺杂及次级畴. 当 , 掺杂产生次级畴从而降低局部退磁场. 裸露掺杂: 次级畴: 临界尺寸dc :可由Eb=Ed 得到. When ddc:裸露掺杂 When ddc: 次级畴 * (a) 单畴. (1) 简单估计(通过能量比较) 球形颗粒. (b) 各向异性非常微弱. MS呈闭合环状分布 , 只需考虑交换能 3、单畴 当颗粒尺寸ddc, 多畴能量高于单畴能量, 出现单畴颗粒. * ( c) 立方各向异性 (d) 单轴各向异性 令Ea 分别等于Eb , Ec , Ed, 可以得到不同情况下的单畴临界尺寸. 例1. 对立方晶体,比较Ea 和Ec 对 Fe, Rc 远小于它的畴壁厚度 , 不合理! * 例2. 对单轴晶体,比较 Ea 和Ed 对MnBi合金 , 合理. (2) 微磁学计算 a R 旋转椭球, 长轴//e.a.//H * 当 稳定单畴临界半径 38.10 * 4、畴结构的实验观察 (1) 粉纹法 畴壁的表面散磁场吸引悬浮液中铁磁粉末分布 (2) 磁光法 Faraday效应, Kerr效应 动态观察 38.52 * (3) 电子显微镜. SEM, Lorentz TEM. (5) X光技术 (7) 偏振中子射线技术 (8) 磁致伸缩, 磁电阻, Barkhausen效应 等方法. (4) 磁力显微镜 (6) 自旋极化扫描隧道显微镜 * Questions and exercises of Chapters 5 1.给出立方及六角结构的磁晶各向异性能的表达式. 如何依据此表达式决定易或难磁化方向? 给出Fe, Ni, Co单晶的易磁化方向. 2.通常材料中的哪些因素导致较高的磁晶各向异性常数. 3. 简述磁致伸缩的物理概念及磁弹性能的表达式 4. 影响材料磁畴结构的能量有哪些? 5. 相邻磁畴边界的磁矩变化是突变的还是较为缓慢变化的?为什么(简单计算说明)? 6. 为什么大块材料中为多畴结构而细小颗粒为单畴? 7. 简述Bloch畴壁和Neel畴壁的特点及主要差别. 8. 为什么说畴壁相对于磁畴内部而言是高能区? * (ii) 对模型及方向有序 对模型各向异性---赝偶极矩作用. 为?和r之间的夹角. 对二元合金( A B) 总的原子对赝偶极矩能为: 无序, (b)
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