大功率led用cob陶瓷基板制备及封装性能-preparation and encapsulation performance of cob ceramic substrate for high-power led.docxVIP

摘要本文在了解大功率 LED 用 COB 封装结构和封装基板的基础上，采用反应结合型厚膜工艺， 配制无玻璃相的 Cu 浆料体系。通过烧结、还原热处理，在陶瓷基板表面实现金属化，并进行 致密化处理工艺尝试。在厚膜工艺基础上，根据已有 LED 基板图形设计网版，丝网印刷电路图 形，设计电镀夹具，对厚膜制备电路图形进行致密化处理，制备性能优良的 COB 封装用陶瓷 基板。最后以焊料取代导热胶改进封装结构，封装自制的 COB 陶瓷基板。采用 XRD、SEM 分 析方法进行物相和形貌分析，测试分析基板的力学和电学性能，优化基板制备工艺；采用 ANSYS 热模拟预测改进封装结构的散热效果，封装 COB 陶瓷基板，对其散热性能进行测试和评价。研究结果发现：1）配制的 Cu 浆料流变性能好，粘度可控制在 100~300Pa·s，厚度也可根 据粘度调控；2）经烧结、还原热处理可制备厚膜 Cu 层，在 1050℃烧结、900℃还原热处理时 基板表面效果最佳，采用光亮镀铜致密化处理，可进一步改善表面 Cu 层质量；3）设计、丝网 印刷电路图形，涂覆浆料质量为 0.08g、1050℃烧结、900℃还原热处理条件下可获得结合强度 94N，表面方块电阻 2.78 mΩ/□的 COB 陶瓷基板；4）设计电镀夹具，采用光亮镀铜工艺，可进 一步降低 COB 基板表面方块电阻，在电流为 0.3A 时，表面方块电阻仅有