大面积有机半导体纳米线阵列可控制备及其器件应用-controllable preparation of large-area organic semiconductor nanowire array and its device application.docxVIP

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  • 2018-05-28 发布于上海
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大面积有机半导体纳米线阵列可控制备及其器件应用-controllable preparation of large-area organic semiconductor nanowire array and its device application.docx

大面积有机半导体纳米线阵列可控制备及其器件应用-controllable preparation of large-area organic semiconductor nanowire array and its device application

中文摘要大面积有机半导体纳米线阵列的可控制备及其器件应用中文摘要小分子纳米材料独特新颖的性能使其在未来低廉高效的新型纳米光电器件等 方面有着极大的潜在应用价值,因而激起研究者的极大兴趣。在近十年来的研究 工作中,有机一维纳米材料的制备方法和性能调控开始受到研究人员的普遍关注。 但目前如何获取大规模、高度取向、选择性沉积生长的有机纳米结构和如何有效 的组装纳米材料于高度集成的器件中依然是一严峻的挑战。本文中,我们重点对 有机纳米阵列结构的控制生长及其在器件集成中的应用展开了研究,主要研究内 容如下:(1)利用修饰有金纳米颗粒模板的衬底,将物理气相沉积法(PVD)与金模 板诱导纳米线成核生长技术结合起来,一步法大面积合成了一维有机纳米线阵列, 并发现金纳米颗粒的高表面能能控制小分子有机纳米线在其表面选择成核生长。 通过在生长衬底上预修饰不同图案的金颗粒膜,我们实现了不同图案的有机纳米 线阵列的制备。我们进一步对单根有机纳米线的光电响应性能进行了研究,发现 有机纳米线可以作为优良的宽光谱光电探测器。(2)通过在衬底上预先制备电极阵列,结合有机纳米线阵列的控制生长,我 们首次了基于有机小分子纳米线阵列的集成图像传感器的构筑。每个集成器件包 含 10×10 个功能单元,面积只有约 1.3 mm2。由于有机小分子纳米线较低的生长温 度和金模板的诱导生长,使得通过一步法实现纳米线阵列的生长和器件

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