电介质及其介电特性-电导.pptVIP

本征载流子浓度，由晶体结构的紧密程度和离子半径的大小决定。导电离子半径大，晶体结构紧密，则形成肖特基缺陷，由离子空位产生电导；反之则形成弗兰凯尔缺陷，由点阵空间的填隙离子及点阵上的离子空位形成离子电导和空位电导。 载流子在电场作用下的迁移具有热跃迁的性质。如由于热运动离开格点进入点阵间的填隙离子，可以称为活化离子。 活化离子也非完全自由，仍被周围邻近离子所束缚，而处在一最低势能位置作热运动。当离子的热振动能超过周围临近分子对它的束缚势垒时，离子才能离开其原先的位置而迁移。 由于热振动而引起的离子迁移，在无外电场作用时也存在。电场则改变了离子在不同方向的迁移数，从而产生了宏观的定向迁移。 弱电场作用下，填隙离子所引起的离子电导率： 2.1 电极效应 （1）普尔——弗伦凯尔效应 3. 载流子的输运过程（?） 强场电导的基本特征： 电介质的强场电导 载流子主要是电子 电导非欧姆性 具有非线性伏安特性 ≤10-35 ≤ 2×10-22 1.6×10-5～1.6×105 杂质电导率 (Ω·m-1 ) ≤2×10-9 ≤105 1018～1024 大多在室温下电离 电离杂质浓度 (m-3) ≤10-45 ≤10-27 4.5×10-5～0.45 本征电导率(Ω·m)-1 　 ≤ 10-8 10 -4～ 1 载流子迁移率(m2V-1s-1) T=300K T=500 K 10 -18 1 T=300 K 2.8×1012 本征载流子浓度(m-3) ≥5.0 0.8～1.2 禁 带 Eg(eV) 典型的绝 缘 体 如NaCl 、聚合物等 典型的半导体 如硅 、锗等 物 理 性 质 半导体与绝缘体的电性能比较 电介质的强场电导 1.材料的电接触特性 表面与界面问题 电接触：金属与非金属介质/半导体的接触 接触界面的作用：载流子容易注入 阻挡载流子注入 如何描述界面特性？ 材料的电接触特性 （1）经典电子论 假设金属中自由电子为势阱中的自由质点，E0表示电子摆脱金属束缚必须做的功。 1.1 功函数 在热电子发射现象研究中发现，发射电流随温度基本上按指数规律变化： ?——功函数 材料的电接触特性 即功函数 ?=E0 为势阱深度。 则电子服从经典统计分布： 发射电流密度： 材料的电接触特性 比较 由于热发射电子的能量m?2/2 必须高于E0，亦有 （2）量子理论 假设E0表示导带底部电子离开金属必须做的功。利用费米分布函数得到： 材料的电接触特性 具有与经典电子论相同的温度依赖关系。 但对功函数给出了不同于经典理论的解释： 功函数的大小直接反映费米能级的高低。 所以： 同样可得发射电流密度： 材料的电接触特性 金属中：? m=E0-EFm， E0为势阱深度， 取决于材料的结构和表面条件 非金属中：?=X+（Ec-EF） EF—费米能级，位于禁带中，是温度、杂质浓度和外界压力的函数。 EC—为导带能级 X—为电子亲和势。表示一个电子从表面上导带底部移至真空所需能量。 材料的电接触特性 1.2 接触电势 两种不同的材料A、B相接触，就会带电并产生不同的电势VA、VB，二者之差称为接触电势。 以金属为例：?A、?B不同，反映费米能级EF的高低不同。 EF 代表电子的化学势 当A、B接触交换电子时，发生从化学势高到化学低的电子流动；电子由A流到B, 使A表面带正电，B表面带负电，从而产生静电势。 VA0, VB0 材料的电接触特性 使A、B中的电子产生附加势能 -eVA 0 ， –eVB 0 从能级图看，表现为A图下降-eVA，B图上升–eVB 使A和B的费米能级相接近以至拉平——两边的电子化学势变为相等。电子将停止净流动，系统达到平衡。 材料的电接触特性 此时有： 通过接触电势差来补偿A、B之间费米能级的差别，从而使电子达到统计平衡。 接触电势差： 材料的电接触特性 1.3 电接触类型 介质内产生正空间电荷，即产生一个从接触界面扩展至介质体内部的耗尽区。 如：金属与半导体的接触 （1）阻挡接触 材料的电接触特性 （2）欧姆接触 在接触处载流子密度比介质体内高很多。 如：金属与绝缘体的接触 产生欧姆接触的方法： ① 降低有效热电子发射的势垒。