数字电路（第二章门电路）.pptVIP

第二章 门电路 2.1 概述 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.2.1 半导体二极管的开关特性 2.2.2 半导体三极管的开关特性 2-3 最简单的与、或、非门电路 2-3-1 二极管与门 2-3-2 二极管或门 2-3-3 三极管非门 2-4 TTL门电路 2-4-1 TTL反相器电路结构和工作原理 2-4-2 TTL反相器输入输出特性 2-4-4 其他类型的TTL门电路 2-4-5 TTL门电路的改进 2-6 CMOS门电路 2-6-1 CMOS反向器工作原理 2-6-2 CMOS反向器静态输入输出特性 2-6-3 CMOS反相器的动态特性 2-6-4 其他类型的CMOS门电路 =1, 截止，或非门输出0，T2亦截止，输出为高阻态。 =0， 导通，门电路正常工作。Y=A EN=0时， 截止，与非门输出高电平，T1也截止，输出为高阻态。 EN=1时， 导通，门电路正常工作。Y=A 低电平有效 高电平有效 （3）在反向器输出端串联一个CMOS模拟开关 （1）正向压降小，VD约为0.3~0.4V （2）导电机构为多数载流子——电子，不会产生附加的开关时间。反向恢复时间很短，为一般PN结二极管的万分之一。 半导体二极管：正向导通时间远远小于反向恢复时间。 （3）制造工艺简单，与集成电路中其他元件具有相容性。 SBD特点： VBE=0.7V，当IB增大， 也增大，导致VCE压降变小，随着VCE的下降，使得SBD导通并钳位时，流进三极管基极电流被SBD分流。限制了三极管的深度饱和。 一般饱和VCE=0.3V 深度饱和VCE=0.1V 简单回忆MOS管工作过程。 栅、源之间没有电流通过。它们之间有SiO2隔离。以NMOS为例： 在栅源之间加上电压VGS，使得漏源之间产生导电沟道，在VDS下，通过外部负载和导电沟道构成回路，形成漏源电流ids。 VT=2~3V MOS管主要工作在截止区和非饱和区。 T1：P沟道增强型MOS管； 开启电压：VGS（th）P=-3V 负压供电，负载管 T2：N沟道增强型MOS管。 开启电压：VGS（th）N=3V 正压供电，工作管 VDD一般为+10V。 （1）电路结构 VI为高电平（10V） T2导通，T1截止，电源电压主要降落在T1负载管上，输出VO=0V。 工作原理： VI为低电平（0V） NMOS管T2栅源电压VGS2=0VVGS(th)N=3V T2工作管截止。 PMOS管T1栅源电压VGS1=-10V，T1管导通，电源 电压主要降落在T2上，输出电压VO=10V。 可以看出： 无论VI是高电平还是低电平，T1、T2总是工作在一个导通，一个截止。即所谓互补状态。 CMOS电路称为“互补对称式金属—氧化物—半导体电路” Complementary—Symmetry Metal—Oxide—Semiconductor Circuit 特点：不论何时T1、T2总有一个截止，而且截止内阻很高，流过T1、T2静态电流很小。因此，COMS电路静态功耗很小。 (a)电压传输特性 满足条件： T1、T2具有相同的导通内阻RON和截止内阻ROFF （2）电压传输特性和电流传输特性 CD段： ， T1负载管截止，T2工作管导通。 VO=VOL=0 AB段： VIVGS(th)N，而 T1负载管导通，T2工作管截止。VO=VOH=VDD BC段： T1，T2同时导通。 若T1、T2参数完全一致，则在 T1、T2导通内阻相等。 (b)电流传输特性 BC段：T1、T2同时导通， iD流过T1、T2，在 电流最大。 CD段：T1截止，iD为0 AB段：T2截止，iD为0 （3）输入端噪声容限 VDD增加，VNL、VNH也相应增大，每个VDD下，VNL=VNH （1）输入特性 输入信号电压正常工作范围内（0~VDD），保护电路 不起作用。 二极管正向导通电压VDF VIVDD+VDF时，D1导通，T1、T2栅极vG钳位在VDD+VDF，C2上的电压不超过VDD+VDF。 VI0.7时，D2导通， T1、T2栅极vG钳位在-VDF，加在C1上的电压也不会超过VDD+VDF。 A）低电平输出特性 （2）输出特性 输出低电平，VO=VOL，T1负载管截止，T2工作管导通。IOL从负载注入T2，输出电平随IOL增加而增加。 从IOL(iDS2)和VOL(vDS2)曲线看出，T2的导通内阻与(vGS2)有关。 (vGS2)越大，导