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阵列工艺技术介绍(王晓凤)
TFT-LCD工艺技术概要
Array工艺科：王晓凤
2004/12/3
1
主要内容
一、TFT 的基本构造
二、4Mask与5Mask工艺对比
三、ARRAY基板的工艺流程
四、TN与SFT工艺对比
五、其他
2
一、TFT 的基本构造
像素
偏光板
液晶 单像素 实际结构
TFT基板 （旋转）
TFT
偏光板 TN
背光源
接触孔 TFT部位侧视
P-SiNx ITO像素电极
DRAIN
SOURCE
电路部件
n+ a-Si
偏光板
GLASS
a-Si
GATE G-SiNx
3
一、TFT 的基本构造
接触孔
ITO像素电极 PI工程
C工程
SOURCE
DRAIN
D工程 P-SiNx
n+ a-Si GLASS G-SiNx
a-Si
I 工程
GATE G工程
4
二、4Mask与5Mask工艺对比
Array工程 4Mask 5Mask
工程名 所需时间 工程名 所需时间
[ＧＬＡＳＳ]
lot构成 lot构成
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