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mosfet非理想特性及小尺寸效应
4.5 MOSFET的非理想特性以及小尺寸效应
第四章 本节内容
MOSFET 等比例缩小（Scaling down）
MOSFET 的非理想特性包括亚阈值特性，沟
道长度调制效应，漏沟静电反馈
小尺寸效应包括短沟道效应，窄沟道效应，迁
4.5 MOSFET的非理想特 移率调制效应（包括速度饱和），DIBL效应
MOSFET 的漏源击穿和栅击穿
性以及小尺寸效应 不同结构的MOSFET
2002.5 半导体器件4.5 1 2002.5 半导体器件4.5 2
4.5.1 Scaling-down 4.5.1 Scaling-down
Scaling down 或称等比例缩小， 1974 年由 CE律缩小参量表
Dennard 提出。其指导思想是在MOS 器件内部电
参量名称 缩小因子 参量名称 缩小因子
场不变的条件下，通过缩小器件的纵向和横向尺
寸，同时按同样比例缩小电源电压，由此可大大 L ，W，tOX ，xj 1/K CL (负载电容) 1/K
提高器件的性能。
V 1/K t ( 门延迟) 1/K
DS d
由于这种缩小规律以保持器件内部电场强度不变
为条件，称为恒场 （CE ） 律。与原尺寸的器件 Nsub K Pw (功耗) 1/K2
相比，由于器件内部的电场保持不变，因而不会 V 1/K P t (性能优值) 1/K3
T w d
出现迁移率降低、碰撞电离、热载流子效应等高 I 1/K A (芯片面积) 1/K2
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