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电子封装综合实验A 实验报告 名 称： 四探针法测电阻率 院 系： 材料工程学院 学 号: 姓 名： 授课教师： 完成时间： 一、 实验目的 电阻率是反映半导体材料导电性能的重要参数之一。测量电阻率的方法很多，四探针法是一种广泛采用的标准方法。它的优点是设备简单、操作方便、测量比较准确、对样品的形状无严格要求等优点。 本实验的目的是：掌握四探针的原理；具体学习并掌握RTS-9型双电测四探针测试仪的原理和薄膜电阻率的测试操作流程和数据分析整理。 实验原理 在一块相对于探针间距可视为半无穷大的电阻率均匀的样品上，有两个点电流源 1、4； 电流由电流源1流入，从 电流源4流出；2、3 是样品上另外两个探针的位置，它们相对于1、4两点的距离分别为 r12、 r42、 r13、 r43，如图 1 所示。 图 1 任意位置的四探针 在半无穷大的均匀样品上点电流源所产生的电力线具有球面对称性，即等势面为一系列以点电流源为中心的半球面，如图2所示。 图 2 点电流源电场分布（理想半无穷大样品，虚线为等势面） 若样品电阻率为ρ，样品电流为I，则在距离点电流源为r处的电流密度J为： (1) 又根据电流密度与电场强度E的关系： (2) 其中σ是电导率(S/m)。由公式（1）-（2）可得： (3)其中ρ是材料的电阻率。 根据电场强度和电势梯度的关系及球面对称性可得： (4) 取r为无穷远处的电势V为零，则： (5-1) (5-2)式（5-2）代表一个点电流源对距 r 处点的电势的贡献。在图1的情况，2、3 两点的电势应为1、4 两个相反极性的点电流源的共同贡献，即： (6) (7)2、3 探针的电势差为： (8)由此可以得出样品的电阻率为： (9)这就是利用四探针法测量电阻率的普遍公式。只需测出流过 1、4 探针的电流；2、3 探针间的电势差 V23以及四根探针之间的距离，就可使用（9）式求出样品的电阻率。 最常用的是直线型四探针。四根探针的针尖在同一直线上，并且间距相等，都是S，如图3所示。 图 3 四探针法测试原理图 代入公式（9）可得： (10)公式（10）是在半无穷大样品的基础导出的。实际上只要样品厚度及边缘与探针之间的最近距离大于4倍探针间距，，公式（10）式就具有足够的精确度。 如果被测样品不是半无穷大，而是厚度、横向尺寸一定，进一步的分析表明，在四探针法中只要对公式引入适当的修正系数B0即可，修正后的计算公式为： (10) 式中B0为修正系数，已有人对一些常用的样品情况对B0的数值作了计算，列表以供查找。 另一种情况是极薄样品，如图4，极薄样品是指样品厚度d比探针间距小很多，而横向尺寸为无穷大的样品，这时从探针1流入（和从探针4流出）的电流I在半径r处实际上是通过一个高为d的圆柱面流开的（图5），圆柱面的总面积就等于2πrd，所以，距探针r处，平均电流密度为I/(2πrd)，其电场强度： (11) 相应的电势函数： (12) 类似于上面对半无穷大样品的推导，很容易得出当r12=r23=r34=S时，极薄样品的电阻率为： (13)