开题报告-MOSFET失效分析及驱动设计.docVIP

研究生选题报告书 （供全日制硕士学术型研究生用） 选 题 题 目 MOSFET的失效分析及驱动设计 研 究 生 姓 名 入 学 年 月 2011年9月 导师姓名 职称 教授 所 属 学 院 自动化学院 专 业 控制科学与工程 研 究 方 向 汽车电子信息与控制技术 选题报告时间： 2013 年 6 月 24 日 说 明 1．选题报告可打印或用黑色钢笔逐栏填写，要求字迹清晰，文句通顺。 2．选题报告所列各栏内容要详细填写、要求重点突出。 3．选题报告于第三学期开始，最迟不能超过第四学期末完成。 4．选题报告是中期考核筛选工作的一部份，选题报告不合格者不得进入论文工作阶段。 5．自备案之日起，满8个月后方可进行论文答辩。 注：1．一至三的内容可打印加页（空表可在校园网上下载），四至五的内容，用碳素墨水填写在表内。 2．研究生将选题报告完成后交各学院备案，论文答辩后，由答辩委员会秘书将此表与《硕士学位申请及评定书》等材料一同交院（系）学位评定分委员会转校学位办公室。 全日制硕士学术型研究生选题报告书 一、文献查阅报告：（附所阅读的主要文献至少40篇以上） MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体），FET （Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor--SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流， 驱动电路简单， 需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于 GTR，导通电阻小等优点。因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中，人们对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计，导致在实际的应用中，MOSFET产生一定的失效率。本文就是要对MOSFET的失效情况进行分析，并研究MOSFET驱动设计时应注意的问题，查阅相关文献，主要有以下几个方面： MOSFET基本工作原理 主要查阅的文献有[1]、[2]、[3]、[4]、[5]、[6]、[7]、[8]、[9]、[10]、[11]、[12] 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，MOSFET主要是N沟道增强型。MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 图1 功率MOSFET内部结构断面示意图 功率MOSFET截止时，漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过；功率MOSFET导通时，在栅源极间加正向电压，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过，但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面，当大于(开启电压)时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 MOSFET特性分析 主要查阅的文献有 [13]、[14]、[15]、[16]、[17]、[18]、[19]、[20]、[21]、[22]、[24]、[25] 、[26]、[27]、[26]、[27] 图2 功率MOSFET的等效模型 上图是功率MOSFET的等效电路，在应用中除了要考虑功率MOSFET每一部分都存在电容以外，还必须考虑MOSFET并联了一个二极管。同时从某个角度看，它还存在一个寄生晶体管（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）。这几个方面，是研究MOSFET动态特性很重要的因素。首先MOSFET 结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力，通常用单次雪崩能力和重复