半导体激光器设计理论I._速率方程理论3_突变同型异质结的库莫(Kumer)理论.docVIP

半导体激光器设计理论I. 速率方程理论 (郭长志, LT1-1C3.doc, 11 Oct. 2007) §1.2-2 突变同型异质结的库莫(Kumer)理论[13, 14, 5] 同型异质结积累区的空间电荷分布 和电势分布，除了可以求解泊松方程得 出之外，还可以由归一化势能积分得出。 从而可以准解析地得出其两边的内建电 场F和总电荷Q。 对于如图1.2-5(a) 所示的n-N结其 带阶为：(1.2-2a) (1.2-2b) 这里的 (( ( 0是由于定义 (1 和 (2 分 别是窄带隙和宽带隙的电子亲和势。 §1.2-2A n-N同型异质结 在无偏压的平衡情况下内建势能为： (1.2-2c() (1.2-2c) 其中后两式采用了非简并统计近似。由(1.2-2c(,b)，远离结区的带边之差分别为： (1.2-2d) (1.2-2e) 电荷密度分布为： (1.2-2f) 电势方程为：(1.2-2g) 泊松方程为： (1.2-2h) n-和N-半导体接触并达到平衡时,其能带图将如图1.2-5(b)所示。加偏压Va= Va1 + Va2后： (1.2-2i) (1.2-2j) (1.2-2k) (1.2-2l) (1.2-2m) (1.2-2n) (1.2-2o) (1.2-2p) (1.2-2q) 即将电势 ( 的泊松方程化为归一化势能 ( 的泊松方程。 1( 结的左边（x1 ( x ( x0）积累区： (1.2-2r) (1.2-2s) (1.2-2t) (1.2-2u) ( (1.2-2v) (1.2-2w) ( (1.2-2x) (1.2-2z) 2( 结的右边（x0 ( x ( x2）准耗尽区： (1.2-2z) (1.2-2aa) (1.2-2ab) (1.2-2ac) ((1.2-2ad) (1.2-2ae) (1.2-2af) 联立： (1.2-2ag) 和(1.2-2i)： (1.2-2ah) 并利用平衡时的解： (1.2-2ai) 即可解出Va1和Va2。 (1.2-2aj) (1.2-2ak) 3( 场连续性： (1.2-2al) 得出： (1.2-2am) 4( 电中性：(1.2-2an) 也得出：(1.2-2ao) 联立： (1.2-2ap) 解出 (1m 后再代回(1.2-2ap)，得出 (2m。 如已知 (1m，则对给定的一个x值，试用 一系列的 (1值，使积分满足： (1.2-2aq) 在一个L内的结果如图1.2-4(a)所示。从这样 逐点算出的数据，即可得出相对于左边体内电 势 ((-() = ((x1) 的x点电势的值： (1.2-2ar) 相对于体内导带边能量的x点的导带边能量为： (1.2-2as) 左边x点的内建电场强度为： (1.2-2at) 左边x点到结的交界面x0点的电荷为： (1.2-2au) 它与左边总电荷量Q1的比值为： (1.2-2av) 如左边半导体的内建电势Vd1比较小，则 (1m和 (1都将比较小，这时： (1.2-2aw) (1.2-2ax) 在Vd1小的条件下， 这比值随(x ( x0) / L1 的变化如图1.2-6(b) 所示。可见电荷在 3L1内已达积累区总 电荷的98.6 %。无 偏压时的n-N和N- n-N同型异质结的能 带图分别如图1.2-7 至(e)所示。可见， 对于突变同型异质 结,在相同的条件下， 将可能得出与欧哈 姆-米纳斯理论[7]相 同的结果。 §1.2-2B 对有电流情况的推广 1( 内建电势的分配关系 库莫理论的主要成果是同型异质结内建电势在两边的分配关系： (1.2-2ba) 库莫在其第二篇文章[12]中说它是在无电流情况导出的，在有电流时不成立。但其实，库莫在其第一篇文章[11]中所作如下定义中，已包含有外加偏压Va情况： (1.2-2bb) (1.2-2bc) 上述电势在两边的分配关系是以隐