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LED芯片制程基础培训 身边的LED LED种类 LED构造 认识LED制备 LED芯片制程总表 LED制程主要步骤模型 * 综合测试 化学站 综合站 黄光站 合格品 去胶、清洗、湿法腐蚀 在外延片表面形成指定图形的光刻胶保护膜 薄膜、干刻、熔合 产品光电参数、外观、打线、推力、热膜等测试 研磨 13金属剥离去胶 6刻蚀去胶 化学站 16 SiO2蚀刻、去胶 15光刻SiO2 14SiO2沉积、熔合 开孔 17电性 18打线 19推力 20拉膜 21外观 12电极蒸镀 9ITO-熔合 5ICP刻蚀 2ITO蒸镀 综合站 11预处理 8P-ITO蚀刻、去胶 4N-ITO蚀刻 1去铟球、清洗 化学站 10光刻P/N Pad 7光刻ITO 3光刻Mesa 黄光站 综合站 检测 加厚 透明电极 刻蚀 外延片 效果图 实物图 剖面图 EPI EPI EPI EPI EPI 注：以上制程适合部分版型，仅供参考 化学站 开孔 综合站 1去铟球、清洗 化学站 黄光站 综合站 检测 加厚 透明电极 刻蚀 外延片 为了确保ITO薄膜与外延片的充分接触，在镀膜前需要进行铟球剔除与一系列的清洗作业 （1）ITO蚀刻液去除铟球 （2）511具有极强的氧化性，能够有效去除外延表面的有机杂质与金属离子 （3）稀HCl外延表面去除金属离子 去膜剂 511 稀HCl 冲水甩干 ITO蚀刻液 外延清洗干净与否直接