演示文稿--LED.pptVIP

异质结特点： ① p型 GaAs衬底外延一层 n 型 AlxGa1- xAs ，皆为重掺杂； ② GaAs的带宽 Eg1 Eg2（AlxGa1- xAs）； ③ 电子由大 Eg的 n区注入到小 Eg的 p区遇到的势垒高度为（eVD-ΔEc）； ④ 空穴由小 Eg的 p区注入到大 Eg的 n区遇到的势垒高度为（eVD+ΔEv）； ⑤ 所以即使 ND和 NA都不是很大，仍有较高的注入效率，本例中电子注入是空穴注入的7.4×105倍； ⑥ 大 Eg的 n区为注入源，小 Eg的 p区为发光区，发光光谱主要决定于 p 区衬底，发出的光经过大 Eg的 n区时不容易被再吸收； ⑦ 对载流子有限制作用，例如双异质结中，可使注入的电子利用率高。 §5.4 发光二极管的发光效率 半导体中注入电能转换成所希望辐射的效率取决于三个过程： ① 超额少子的激发； ② 这些载流子的辐射复合； ③ 产生的光从晶体中逸出的比例。 总的转换效率： 1、功率效率 2、内量子效率 GaAs τr= 1.4× 10-8s，则ηint= 0.88 Si τr=6×10-3s，则ηint=1.7×10-5 一般可取τnr= 10-7s 3、光学效率 GaAs： 折射率 n=3.6 全反射临界角θc= 16.2° 比例系数：k=1- cosθc θc = 16.2° k=0.04 考虑到表面反射系数（对于 GaAs为 0.5）： ηopt k 4、串联电阻Rs 直接带间复合材料 Rs=1～ 3Ω 间接带间复合材料 Rs=10Ω 功率效率 5、如何提高 LED 发光效率 （1）掺杂浓度的选择 ① LED 的材料和工艺应保证晶格完整和避免有害杂质混入。 ② ND、NA都有最佳值，由实验确定。 （2）结深的选择 最佳结深值 （3）结构的选择 平面结构，外量子效率很低 改善的措施 ： ① 用球形发射表面 nr=3.5 ηext=35% 缺点：球形发射面使材料内部光程增大， 即吸收增大 ② 用折射率大的介质做成圆形窗口 ③ 在背面设置合适反射面，以充分利用侧面发射的光 ④ 即使是矩形封装，也可用折射率大，吸收小的透明材料作 LED 的封装以增加出射光，如GaAs1- xPx LED 采用环氧树脂(nr=1.55)封装，θc增加到 25.5°，出射光增加1.45倍；如用低熔点玻璃(nr =2.5)，ηext可提高5～6倍； ⑤ 发出的光在经过欧姆接触层时被吸收最大，适当开窗口可使亮度提高 2～ 3倍。 §5.5 发光二极管制造中的主要工艺技术 一、外延生长技术 外延 --- 在单晶衬底上生长一层新单晶 金属有机化合物气相沉淀（MOCVD） 分类： 气相外延（VPE） 液相外延（LPE） 分子束外延（MBE） * 第五章 发光二极管（LED）显示 §5.1 概述 电—光转换型 p-n 结结构 Losev 1923年 SiC 早期：中、低亮度的红、橙、黄、绿 LED 近期：蓝光 LED 和高亮度、超高亮度 LED LED 产业重点： 可见光范围 380～ 760nm LED 的发光机理 ： 电子、空穴带间跃迁复合发光 LED 的主要优点： ① 主动发光，一般产品发光强度 1cd， 高的可达 10cd； ② 工作电压低，约为 2V； ③ 由于是正向偏置工作，因此性能稳定， 工作温度范围宽，寿命长（105h）； ④ 响 应 速 度 快； 直接复合型材料：16 ～ 160MHz 间接复合型材料：105～ 106Hz ⑤ 尺寸小。 一般 LED ： 0.3mm2 红外 LED LED 的主要缺点： 电流大，功耗大 §5.2 有关半导体及 p-n 结注入发光的基本知识 一、有关能带的基本常识 1、状态密度 单位能量间隔中的量子数 导带底附近的状态密度： 价带顶附近的状态密度： 状态密度与能量关系图 2、费米分布与玻尔兹曼分布 能量为 E 的一个量子态被一个电子占据的几率： f( E)的特性： ① 当 T =0K 时，若 E Ef，则 f( E) =1； 若 E Ef ，则 f( E) =0 ② 当 T 0K 时，若 E Ef ，则 f( E)0.5； 若 E = Ef ，则 f( E)=0.5； 若 E Ef ，则 f( E)0.5 室温下，k0T = 0.02