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 PAGE \* MERGEFORMAT 3 现代显示技术概述 （信息学院 电子科学与技术专业XXX XXXXXXX） 摘要：现代显示屏主要有阴极射线管（CRT）显示器、液晶显示器（LCD）、场发射显示器（FED）、LED显示屏等。通过显示原理的对比，场发射显示器集具有很大的发展潜力，有望成为数字电视时代显示器件的主流。对不同类型的阴极场发射阵列（FEA）进行比较，认为碳纳米管薄膜阴极是目前最有希望实现FED 市场化的场发射体。 关键词：场发射显示器 碳纳米管 阴极结构 引言 电子显示与人类的生活息息相关， 显示技术在市场的牵引下也蓬勃发展。显示器的种类很多，它们在技术上和市场上各有优势， 分别应用到不同的领域，其中应用最多、最具有代表性的显示器有阴极射线管（ CRT） 、液晶显示器（ LCD）及场致电子发射显示器（ FED） 。 1 常见显示器的显示原理和优缺点 1.1 阴极射线管 它由电子枪、偏转线圈、荧光屏3 部分组成。接通电源后，阴极被加热，电子枪发射出电子束， 电子束在偏转线圈所产生的磁场的作用下，轰击相应的荧光屏上的荧光粉而使其发光，从而完成将电信号转化成光信号的过程， 显示出相应的图像。 CRT具有生产工艺成熟、产量巨大、价格便宜，因高亮度、全彩色、高分辨、对比度好而具有高画质， 寻址方式简单、响应速度快、温度特性好、视角宽。但是由于CRT 体积庞大、重量大、阳极电压高、功耗大及工作时产生X 射线和电磁辐射等导致市场份额不断下降[1]。 1.2 液晶显示器 液晶被两块内表面镀有ITO 透明导电膜的玻璃封装，即可制成液晶显示器。在透明导电膜表面涂有定向膜， 使液晶分子按一定方向排列，在有电流通过或电场改变时，液晶分子的排列会发生变化，从而改变对光的反射、透射等光学性质。液晶显示成像正是利用液晶的这种性质，通过控制外部电压而控制液晶的光线光程， 利用光的偏振干涉实现光线透射、半透射或全暗，从而使背光向前发散的明暗得以控制，显示出图像[2]。 LCD具有功耗低、寿命长（ 约为等离子显示器的2 倍[3]） 、体积小、无电磁辐射、图像无闪烁无失真、显示信息量大，以及色彩柔和等优点，但是成本比CRT高，显示高速画面时可???出现拖尾现象， 存在坏点等一系列因素制约着LCD 的发展。尽管如此，LCD 技术的不断完善，使其在市场上极具竞争力，在中小型显示领域有取代CRT 之势。 1.3 场发射显示器 场致电子发射显示器（ FED） 是自1990 年代中期以来得到迅速发展的一种新的平板显示器。其基本原理和CRT 类似， 但和CRT 利用灯丝的加热升温使电子获得足够能量而逸出灯丝的热发射不同，FED 通过外加电场使电子克服导体表面的势垒而逸出形成冷发射。 FED 结合了CRT 的高画质[4]和其他平板显示的优点，在亮度、分辨率、响应速度、视角、功耗、工作电压、色彩饱和度及工作温度范围等方面都有优良的性能，被认为是一种最具有潜力的平板显示器[5]。 2 场致发射阴极材料 场致发射阴极材料是场致发射显示器的核心内容。FED场发射材料研究最多的几种有: 金属场致发射材料、硅场致发射材料、金刚石薄膜和类金刚石薄膜场致发射材料、碳纳米管场致发射材料以及其他一些发射材料[6]。 2.1 金属场致发射材料 自场发射现象被发现以来, 人们一直用难熔金属尖端作为阴极, 主要有W、Mo、Ta 等金属场致发射材料目前存在的2 个主要障碍是阴极发射电流密度低和工作不稳定。因此金属场致发射材料的制备工艺和后处理显得尤为重要。用复杂方法制备钼，再对Mo 尖锥加强电场而使发射电流稳定。但是制备方法复杂而且成本高。 2.2 硅场致发射材料 半导体硅拥有成熟的加工工艺, 因此其工艺主要集中在硅发射阵列的物理结构上。传统的方法是采用热氧化法来制作微尖, 但单晶硅本身的表面功函数高达4. 5eV, 而且其导电、导热性都较差, 这就必然导致硅尖锥阴极阵列场发射阈值电压较高、散热性能较差、容易吸附残留气体而受到污染, 并产生发射电流不稳定、发射电流密度较低等问题[7]。 2.3 金刚石薄膜和类金刚石薄膜场致发射材料 金刚石薄膜和类金刚石薄膜有一定的负电子亲和势及低的功函数、高热导率和优异的化学稳定性。采用化学气相沉积技术可以得到多晶金刚石膜[8] , 为了克服晶界所导致的缺陷, 纳米金刚石膜是一种较好的场致发射材料。有人利用微细加工工艺和氧反应粒子束刻蚀技术的有机结合, 成功地制作了类金刚石薄膜的孔洞阵列, 获得了良好的场发射性能[9]。 2.4 碳纳米管场致发射材料 碳纳米管具有长径比大、强度高( 为钢的100倍) 、工作电压低、发射电流大、功函数低、使用寿命长、可靠性高等特点, 而且原材料来源广泛, 制备工艺相对简单, 易于大批量生