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P沟道;;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;;定义： 开启电压（VT）——刚刚产生沟道所需的栅—源电压VGS。; ② 漏源电压vDS对漏极电流id的影响;2. 工作原理;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;;4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;4.1.3 P沟道MOSFET;4.1.4 沟道长度调制效应;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;;;2. 工作原理（以N沟道为例）;s;;;;当vGDVP 时，vGS对漏极电流iD的控制。;小结：;;;场效应管的四个工作区：;2. 转移特性 ;与MOSFET类似;;4.2.1 MOSFET放大电路;4.2.1 MOSFET放大电路;假设工作在饱和区;4.2.1 MOSFET放大电路;4.2.1 MOSFET放大电路;4.2.1 MOSFET放大电路;4.2.1 MOSFET放大电路;4.2.1 MOSFET放大电路;;;;;;（2）高频模型;;