第一篇 章 半导体器件模拟的物理基础 微电子器件及工艺CAD（半导体器件模拟课件）.ppt

《微电子器件及工艺CAD》 * 国际微电子中心 《微电子器件及工艺CAD》 * 第一章 半导体器件模拟 的物理基础 哈尔滨工业大学(威海) 微电子中心 王新胜 电话：0631-5687574 微电子器件与工艺CAD 半导体器件的制作和工作过程是一个非常复杂的过程，为了使其能够很好地工作，满足设计要求，传统的试制过程如下: 用户要求 器件横向设计 器件纵向设计 制光刻版 工艺设计 工艺流程 参数测试 不 合 格 不 合 格 合格 引 言 一般一次试制的样品其测量参数和用户的要求会有差异，这时需要修正器件的设计方案，包括横向及纵向设计方案，也就是要重复光刻制版制作、工艺设计、工艺流程、参数测试等步骤，需要经过数次设计方案的调整及数次的工艺流程，才能得到符合用户要求的试制品。显然，其过程很麻烦，时间会较长，费用大（制版、流片等）。 引 言 采用器件模拟技术后，器件的性能参数可以从理论计算上得到，其过程如下图所示： 用户要求 器件横向设计 器件纵向设计 器件模拟 工艺设计 工艺模拟 参数显示 不 合 格 不 合 格 合格 引 言 首先，按照用户的要求，进行新器件的横向结构及纵向结构设计，然后将这些设计参数送入器件/工艺模拟器（模拟程序）进行理论计算，器件特性参数的计算值会在器件模拟之后显示出来。显示出的参数与用户的要求进行比较。如不合要求，在对设计参数进行调整，重复上述模拟过程，直到满足用户的要求为止。 如果对一个半导体器件建立了正确的物理模型及数学模型，理论计算得到的参数应与测量值是一致的。 因此，半导体器件物理模型和数学模型的建立，显得十分重要。 引 言 §1-1 载流子浓度 载流子浓度 1.本征半导体 式中mn*和mp* 分别为电子和空穴的有效质量，m0是电子的惯性质量，T是绝对温度，Eg是半导体材料的禁带宽度，K是玻尔兹曼常数。 2.杂质半导体 （1）非简并情况 载流子浓度（续） Ec EF Ev Eg Ec EF Ev Eg N型 P型 A 平衡态 对于一般掺杂浓度的杂质半导体，即非简并半导体，费米能级EF 在禁带中，而且， 或 ，这时导带电子和价带空穴服从玻尔兹曼分布，它们的浓度分别为 式中Ec和Ev 分别为导带底及价带顶的能量，Nc和Nv分别为导带底及价带顶的有效状态密度。 上面的两个式子也可以写成 ? ? ? è ? - = - - - = ? ? ? è ? - = - - - = kT E E n kT E E kT E E N p kT E E n kT E E kT E E N n F i i F i v i v i F i i F i c c exp ) exp( )] exp( exp ) exp( )] exp( [ 载流子浓度（续） ? ? ? è ? - = - - - = ? ? ? è ? - = - - - = kT E E n kT E E kT E E N p kT E E n kT E E kT E E N n F i i F i v i v i F i i F i c c exp ) exp( )] exp( exp ) exp( )] exp( [ 式中Ei 为本征半导体的费米能级。 如果定义静电势 和费米电势 则上二式可表示为 载流子浓度（续） 式中Ei 为本征半导体的费米能级。 如果定义静电势 和费米电势 则上二式可表示为 ? ? ? è ? - = - - - = ? ? ? è ? - = - - - = kT E E n kT E E kT E E N p kT E E n kT E E kT E E N n F i i F i v i v i F i i F i c c exp ) exp( )] exp( exp ) exp( )] exp( [ 载流子浓度（续） 载流子浓度（续） 上二式适用于平衡态的情况。 式中Ei 为本征半导体的费米能级。 如果定义静电势 和费米电势 则上二式可表示为 B 非平衡情况 载流子浓度（续） 式中EFn 和EFp 分别为电子和空穴的准费米能级。 当半导体中有电流通过时，平衡状态破坏，电子和空穴不再有统一的费米能级。当电流不大时，采用准费米能