第十四篇 章 非晶硅薄膜太阳能电池1 经典太阳电池基础课件.pptVIP

第十四篇 章 非晶硅薄膜太阳能电池1 经典太阳电池基础课件.ppt

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第十四篇 章 非晶硅薄膜太阳能电池1 经典太阳电池基础课件.ppt

非晶硅薄膜太阳能电池; 太阳能电池概况 ;硅太阳能电池;单晶硅太阳能电池;多晶硅薄膜太阳能电池;(4)可以设计成各种形式,利用集成型结构,可获得更高的输出电压和光电转换效率。 (5)薄膜材料是用硅烷( )等的辉光放电 分解得到的,原材料价格低。;二,结构组成 ; 非晶硅太阳电池是以玻璃、不锈钢及特种塑料为衬底的薄膜太阳电池,结构如图1所示。 为减少串联电阻,通常用激光器将TC0膜、非晶硅(a-Si)膜和铝(AD )电极膜分别切割成条状,;; 如图2所示。国际上采用的标准条宽约lcm,称为一个子电池,用内部连接的方式将各子电池串连起来,因此集成型电池的输出电流为每个子电池的电流,总输出电压为各个子电池的串联电压。在实际应用中,可根据电流、电压的需要选择电池的结构和面积,制成非晶硅太阳电池。 ;三 工作原理; 掺硼形成p区,掺磷形成n区,i为非杂质或轻掺杂的本征层。重掺杂的p、n区在电池内部形成内建电场,以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触,为外部提供电功率。i区是光敏区,光电导/暗电导比在105-106,此区中光生电子空穴是光伏电力的源泉。 ; 非晶体硅结构的长程无序破坏了晶体硅光电子跃迁的选择定则,使之从间接带隙材料变成了直接带隙材料,对光子的吸收系数很高,对敏感光谱域的吸收系数在1014cm-1以上,;通常0.5μm左右厚度a-Si就可以将敏感谱域的光吸收殆尽。所以,p/i/n结构的a-Si电池的厚度取0.5μm左右,而作为死光吸收区的p、n层的厚度在10nm量级。 ; 非晶硅太阳电池的工作原理是基于半导体的光伏效应。当太阳光照射到电池上时,电池吸收光能产生光生电子一空穴对,在电池内建电场 的作用 下,光生电子和空穴被分离,;空穴漂移到P边,电子漂移到N边,形成光生电动势VL , VL 与内建电势Vb相反,当两者大小相等时,达到平衡,iL=0,V L达到最大值,称之为开路电压Voc; ; 当外电路接通时,则形成最大光电流,称之为短路电流isc,此时VL=0;当外电路加入负载时,则维持某一光电压VL 和光电流IL 。其I-V 特性曲线见图3。 ;;; 由于太阳光谱中的能量分布较宽,???要部分由0.3μm-1.5μm的波长范围组成。现有的任何一种半导体材料都只能吸收能量比其能隙值高的光子,即只能在一有限波段转换太阳能量,故单结太阳电池不可能完全有效地利用太阳能。; 采用分波段利用太阳能光谱的叠层电池结构则是有效提高光电转换效率的有效方法之一,而且也是主要趋势。 ; 叠层太阳电池的结构见图4。目前常规的叠层电池结构为 a—Si/a—SiGe、a—Si/a—Si/a—SiGe、a-Si/a-SiGe/a—SiGe、a—SiC/a—Si/a—SiGe等 ;;四 非晶硅太阳电池的制备 ;; 此时如果原料气体中混入硼烷(B2 H6 )即能生成P型非晶硅,混入磷烷(PH3) 即能生成N型非晶硅。 仅仅用变换原料气体的方法就可生成pin结,做成电池。 ; 为了得到重复性好、性能良好的太阳电池,避免反应室内壁和电极上残存的杂质掺入到电池中,一般都利用隔离的连续等离子反应制造装置,即p、i、n各层分别在专用的反应室内沉积。 ;五 非晶硅太阳电池的缺点; 在弱光下应用当然不成问题,但在室外强光下,作为功率发电使用时,稳定性成了比较严重的问题。功率发电的试验电站性能衰退严重,寿命较短,严重影响消费者的信心,造成市场开拓的困难。 ;(1)封装的不稳定问题 ; 解决这一问题主要靠改进封装技术,在采取了玻璃层压封装(这是指对玻璃衬底的电池)和多保护层的热压封装(对不锈钢衬底电池),基本上解决了封装问题。目前太阳电池使用寿命已达到10年以上。 ;(2)a-Si材料和太阳电池的 光致衰退机制; 暗电导的阿兰纽斯特性测量表明,光照时电导激活能增加,这意味着费米能级从带边移向带隙中央,说明了光照在带隙中部产生了亚稳的能态或者说产生了亚稳缺陷中心。这种亚稳缺陷可用退火消除。; 根据半导体载流子产生复合理论,禁带中央的亚稳中心的复合几率最大,具有减少光生载流子寿命的作用; 同时它又作为载流子的陷阱,引起结间电荷量的增加,降低i层内的电场强度,使光生载流子的自由漂移距离缩短,减少载流子收集效率。这就使太阳电池的性能下降。 ; 研究光致亚稳态的机理,寻找克服光致衰退的办法,不仅对完善发展非晶硅材料的基础理论是重要的,而且对改善太阳电他的性能也很紧迫。 从对太阳电池产品的使用来说,还要解决加

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