第四篇 章 频谱搬移电路 4.5 混频电路 高频电子线路.pptVIP

4.5 混频电路 混频是将载波为高频的已调信号，不失真地变换为载波为中间的已调信号，必须保持： ②频谱结构不变，各频率分量的相位大小，相互间隔不变。 ①调制类型，调制参数不变，即原调制规律不变。 4.5 （或功率 ） 分贝表示，即： 对输入高频信号电压振幅 混频增益: 是指混频器输出中频信号电压振幅 （或功率 ）的比值，用 一、混频增益（或混频损耗） （dB）或 (dB) （4.5.1） 在相同输入信号情况下，分贝数越大，表明混频增益越高，混频器将输入信号变换为输出中频信号的能力越强。接收机的灵敏度越高。 4.5.1 4.5.1 混频器的主要性能指标(自学) (dB) 显然，在相同输入信号情况下，分贝数越大，即混频损耗越大，混频器将输入信号变换为输出中频信号的能力越差。 4.5.1 混频损耗： 是对不具备混频增益的混频器而言的，它定义为在最大功率传输条件下，输入信号功率 功率 的比值，用dB（分贝）表示，即 对输出中频 二、噪声系数 混频器的输入信号噪声功率之比（ ）对输出 中频信号噪声功率之比 的比值，用分贝表示， 定义为噪声系数 （dB） （4.5.2） 三、1dB压缩电平 图 4.5.1 1dB压缩电平 当输入信号功率较小时，混频增益为定值，输出中频功率随输入信号功率线性增大。由于器件的非线性，随着输入信号功率的增大，输出中频功率的增大将 趋于缓慢，直到比线性增长低于1dB时所对应的中频输出功率电平称为1dB压缩电平（1dB Compression Level），用 表示。图中， 和 表示，即高于1mW的分贝数， （如0dBm=1mW，3dBm=2mW, 10dBm=10mW, 20dBm=100mW）等。 4.5.1 的单位用dBm 所对应的输入信号功率是混频器动态范围的 上限电平。 一、二极管环形混频器 4.5.2 图4.5.2 二极管双平衡环形相乘器 4.5.2 二极管混频器 由图4.5.2(a)知，流过负载 的总电流 为 （4.5.3） 1、工作原理分析 当 时，二极管D3、D2导通，D1、D4截止，相应的等效 电路为图4.5.2(b )所示。流过负载的电流为 （4.5.4） 4.5.2 图4.5.2 二极管双平衡环形相乘器 时，二极管D1、D4导通，D3、D2截止，相应的等效 电路为图4.5.2(c )所示。流过负载的电流为 （4.5.5） 当 图4.5.2 二极管双平衡环形相乘器 4.5.2 因此，在 的整个周期内，流过负载的总电流 可以表示为 （4.5.6） 由此可见，电流 中包含的频率分量为 经LC带通滤波器滤除无用频率分量，在负载上得到的有用中频电流分量为 （4.5.7） 电路实现了混频功能。 4.5.2 2、二极管环形混频器插入损耗的分析 根据定义，由图4.5.2(a)知，流过输入信号源端的电流为 （4.5.8） 将式（4.5.4）和（4.5.5）代入上式得 （4.5.9） 所以接在信号源端的等效负载电阻为： （4.5.10） 4.5.2 若令 ，实现功率匹配，信号源所提供 的最大信号功率为 （4.5.11） 负载 上所得到的中频电压幅值为 ，（一般 )（4.5.12） 相应的输出中频功率为 （4.5.13） 4.5.2 因此，电路的插入损耗为 （4.5.14） 实际上，考虑变压器和二极管中的损耗，环形混频器的插入损耗 约为（6－8）dB。 4.5.2 二、电路实例分析 图4.5.3 二极管环形混频器实用电路之一 4.5.2 4.5.3 集成混频器 图4.5.4 采用MC1596双差分对模拟相乘器构成的混频器 4.5.3 由集成高频双差分对电流模模拟乘法器AD831构成的平衡混频器外接电路如图4.5.5所示， 图4.5.5 AD831的内部电路组成及构成混频器的外接电路 4.5.3 图4.5.5 AD831的内部电路组成及构成混频器的外接电路 4.5.3 4.5.4 三极管混频器 三极管混频器可分为晶体三极管混频器和场效应管混频器。 一、晶体三极管混频器 利用图4.2.8所示电路， 令 ， 即可实现混频功能。 4.5.4 1、工作原理 电路工作在线性时变状态时，流过晶体三极管的集电极电流为 （4.5.15） 式中 和 均为本振频率 的周期性函数， 显然，集电极电流 中包含频率为 和 的分量； 中的中频电流为 （4.5.16） 若图4.2.8所示电路的集电极回路谐振在