_CMOS_集成电路片上静电放电防护器件设计与分析.pdf

目 录 目 录 摘 要 I ABSTRACT II 第一章 引言 1 1.1 ESD 简介 1 1.2 ESD 测试方法 2 1.2.1 ZAPMASTER 的ESD 测试方法 4 1.2.2 TLP 技术的 ESD 测试方法 5 1.2.3 ZAPMASTER 测试与 TLP 测试的关联性 6 1.3 ESD 的TCAD 仿真简介 6 1.3.1 工艺仿真工具 Tsuprem 和器件仿真工具 Medici 简介 7 1.3.2 工艺器件仿真工具 ISE-TCAD 简介 7 1.3.3 工艺器件仿真工具 Silvaco-TCAD 简介 7 1.4 ESD 防护器件简介 8 1.4.1 基于二极管的 ESD 防护器件 8 1.4.2 基于场氧器件的 ESD 防护器件 8 1.4.3 基于 MOS 管的 ESD 防护器件 9 1.4.4 基于 SCR 的ESD 防护器件 10 1.5 我的工作及其论文组织 10 1.5.1 我的工作 10 1.5.2 论文核心内容 11 第二章 深亚微米场氧 ESD 器件防护能力的研究 13 2.1 基于 FOD 结构的 ESD 器件分析 13 2.1.1 FOD 工作机理 13 2.1.2 基于 FOD 结构的 ESD 器件设计 14 2.1.3 新型浮多晶硅岛屿 FOD 结构的 ESD 器件设计 16 2.2 试验数据分析 17 2.2.1 NMSTFOD 器件的数据分析 18 2.2.2 WCFOD 器件的数据分析 19 2.2.3 SCFOD 器件的数据分析 19 2.2.4 浮体多晶岛屿 FOD 器件的数据分析 20 2.2.5 各种 FOD 的比较 21 2.3 小结 21 第三章 NMOSFET ESD 防护器件在不同栅压下的研究 23 3.1 试验过程 23 3.1.1 NMOS 管的 TCAD 瞬态仿真 24 I 目 录 3.1.2 带栅压 NMOS 管的 TLP 测试方法 28 3.2 栅压对 NMOS 管 ESD 性能的影响及其机理研究 30 3.2.1 栅压对 NMOS 管的 ESD 性能影响 30 3.2.2 有源区宽长对 NMOS 管 ESD 性能的影响 31 3.2.3 沟道长度对 NMOS 管 ESD 性能的影响 31 3.3 小结 34 第四章 典型可控硅 ESD 防护器件结构和版图设计分析 35 4.1 LSCR 的分析和设计方法研究 35 4.2 MLSCR 的分析和设计方法研究 38 4.3 LVTSCR 的分析和设计方法研究 40 4.4 新型的 SCR 器件版图设计 41 4.5 小结 44 第五章 新型双向可控硅 ESD 防护器件的设计与分析 45 5.1 LOGIC CMOS 工艺下双向 ESD 防护器件的设计 47 5.2 低触发电压双向 SCR ESD 防护器件的设计 49 5.2.1 Wang A.的低触发电压方案 49 5.2.2 NM_DDSCR 器件设计及分析 49 5.2.3 PLVT_DDSCR 器件设计及分析 51 5.3 MIXED_MODE RFCMOS 工艺实现的 DDSCR 器件结构 55 5.3.1 T-Well 工艺简介 55 5.3.2 NLVT_DDSCR 器件设计及分析 56 5.4 LVT_DDSCR 器件的设计评估 58 5.4