第3章：半导体存储器及其接口.pptVIP

第3章：半导体存储器及其接口 教学重点 芯片SRAM 2114和EPROM 2764 SRAM、EPROM与CPU的连接 第3章：3.1 半导体存储器概述 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 CPU CACHE 主存（内存） 辅存（外存） 第3章：3.1.1 半导体存储器的分类 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 详细分类，请看图示 第3章：图3.1 半导体存储器的分类 半导体 存储器 只读存储器 （ROM） 随机存取存储器 （RAM） 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 非易失RAM（NVRAM） 掩膜式ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM） 详细展开，注意对比 第3章：⑴读写存储器RAM 小容量非易失 低 慢 带微型电池 NVRAM 大容量系统 高 慢 极间电容 DRAM 小容量系统 低 快 触发器 SRAM 应用 集成度 速度 组成单元 第3章：⑵只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 第3章：3.1.2 半导体存储器芯片的结构 地 址 寄 存 地 址 译 码 存储体 控制电路 AB 数 据 寄 存 读 写 电 路 DB OE WE CS ① 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元 ③ 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作 第3章：①存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量 ＝存储单元数×存储单元的位数＝2M×N M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 示例 译码器 A5 A4 A3 A2 A1 A0 63 0 1 存储单元 64个单元 行译码 A2 A1 A0 7 1 0 列译码 A3A4A5 0 1 7 64个单元 单译码 双译码 第3章：②地址译码电路 单译码结构 双译码结构 双译码可简化芯片设计 主要采用的译码结构 第3章：③片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 第3章：3.2.1 静态RAM SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用撟纸峁箶存储矩阵： 每个存储单元存放多位（4、8、16等） 每个存储单元具有一个地址 SRAM 2114 SRAM 6264 第3章：SRAM芯片2114 存储容量为1024×4 18个引脚： 10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE* 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 1716 15 14 13 12 11 10 Vcc A7 A8 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 WE* A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS* GND 功能 第3章：SRAM芯片6264 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CS1*、CS2 读写WE*、OE* 功能 +5V WE* CS2 A8 A9 A11 OE* A10 CS1* D7 D6 D5 D4 D3 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 第3章：3.3.1 EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）编程 编程后，