《晶体缺陷》课件.ppt

河北工业大学材料学院 第三章 晶体缺陷2crystal defect 主讲人 教授 3-1 位错的应力和能量 螺型位错的应力场 刃型位错的应力场 位错的应变能和线张力 位错的应力场 位错周围的点阵发生不同程度的畸变。 位错中心部分畸变程度最为严重，这部分超出了弹性应变范围。 位错中心区以外为弹性畸变区，借助弹性连续介质模型可讨论位错的弹性性质。 螺型位错的应力场 只有切应力分量 径向对称，与角度无关 沿位错线长度方向保持不变，与z无关 应力分量与b成正比，与r成反比 公式不能用于位错中心区，r?0 在柱坐标中的应力场 当位错线//z轴, 半原子面位于+y 滑移面xoz面 刃型位错应力场特点 应力分量与b成正比，与r成反比（同螺型位错），中心区不适用 沿位错线长度方向无变化（同螺型位错） 相对于半原子面，应力场镜面对称 滑移面上没有正应力；而在45°方向没有切应力 （3）位错的应变能和线张力 位错线周围原子偏离平衡位置，晶格产生畸变，导致能量提高。这部分额外的能量称为位错的应变能 包括位错中心区的能量（占总能量的1/10~1/15）和中心区以外（弹性区）的能量 中心区的能量不易计算。 位错能量的一般公式 一般地，单位长度位错线的能量 系数与位错类型有关，在0.5~1之间。 单位长度位错能量?b2,因而实际晶体中只有b较短的位错才是稳定的，滑移方向一般是密排方向。 位错的线张力 位错的能量正比于长度，所以晶体中的位错会尽量缩短长度，以降低能量。 取位错线张力数值上等于单位长度位错线的能量，作用在位错线的切线方向，力图缩短位错线的长度。 若要弯曲位错线，需要附加的外力 弯曲位错需要的力 考虑水平力分量 f = T·sin(dq/2) ≈ T·dq/2 Sf = 2f ≈ T·dq = T·ds/R 若单位长度位错线受力为F，在平衡时， Fds=T·dq F=T/ R 位错是不稳定缺陷 位错使晶体的内能提高，但是熵增十分有限，不稳定缺陷 通过估算得出，因应变能而引起系统自由能的增加，远大于熵增加而引起系统自由能的减小。故位错与空位不同，它在热力学上是不稳定的。 3-2 位错的受力与运动 位错有两种运动方式 滑移：位错线在滑移面上的运动。 位错线是已滑移区与未滑移区的边界线。 外加切应力使位错线移动，已滑移区扩大，当位错扫过整个滑移面滑出晶体，滑移面两侧晶体相对移动b； 位错移动时，在经过的区域晶体相对运动b 攀移：位错线在垂直于滑移面上的运动，为半原子面的扩大或缩小。 只有刃型位错才能发生攀移。 （1）位错的攀移运动 攀移的晶格阻力 攀移伴随着体积的变化；如半原子面扩大时，伴随着产生点缺陷。单位长度位错线攀移dy距离，体积膨胀1 dy b,产生bdy/b3＝ dy/b2个点缺陷，攀移阻力F阻满足 空位形成能～Gb3/5,间隙原子形成能～3Gb3/5 ，阻力～G/5, 攀移阻力接近理论强度 攀移的特点 攀移是刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动； 是半原子面的扩大或缩小，引起体积变化； 阻力很大，接近理论强度； 依赖于空位、间隙原子的扩散 室温下难以进行。 （2）滑移刃型位错的滑移 螺型位错的滑移 原子移动的晶格阻力 理想晶体原子移动的阻力 位错附近原子移动的阻力 位错的易动性 位错线中心原子已经离开平衡位置，处于高能状态，阻力小 位错移动只需要位错线附近少数原子的运动； 每个原子的位移较小（小于原子间距） 滑移的晶格阻力（Ｐ－Ｎ力） Ｇ切变弹性模量 ν泊凇比 d滑移面晶面间距 b柏氏矢量 根据位错模型，计算的强度接近实际测量值~10-4G 混合位错的滑移 混合位错可以分解为两个分量 螺型分量bs=bcos? 刃型分量be=bsin? 无论任何形式的位错,位错的运动方向均?位错线 当两个分量位错滑过晶体,滑移台阶为 位错环 在完整晶体内部，滑移面上某一封闭曲线内部区域两侧的原子相对移动b位移，这一封闭曲线是已滑移区与未滑移区的边界，就是一个位错环。 位错环 在右图的位错环上，B处的半原子面在上面， ┻；D处半原子面在下面， ┳ A处右旋螺型位错，C点左旋为螺型位错 其余位置为混合位错。 由于位错线方向与b相关，事实上位错线方向已经确定，是ABCDA方向 位错环的运动 运动方向可以分段处理 简单地处理，若外力与产生位错环的外力方向相同，将倾向于撕裂整个滑移面，即位错环将逐步扩大，使位错线移向晶体外缘，最终产生台阶b。 反之，位错环逐渐减小，直至消失。 不受力时，如何？ （3）作用在位错上的滑移力 作用在位错上的力指作用在位错畸变区内每个原子力的总和。 晶体受力变形等价于位错线受力移动，根据两者作功相同的原理(虚功原理)，可以计算位错受到的力。 滑移力 以刃型位错为例。设切应力?使dl长度位错线移动