rgocu复合材料的pas烧结制备及其性能研究-study on pas sintering preparation and properties of rgo cu composites.docxVIP

独 创 性 声 明本人声明，所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及 取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外， 论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得 武汉理工大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一 同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说 明并表示了谢意。签 名：日 期： 学位论文使用授权书本人完全了解武汉理工大学有关保留、使用学位论文的规定，即： 学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版， 允许论文被查阅和借阅。本人授权武汉理工大学可以将本学位论文的 全部内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或其他复制 手段保存或汇编本学位论文。同时授权经武汉理工大学认可的国家有 关机构或论文数据库使用或收录本学位论文，并向社会公众提供信息 服务。（保密的论文在解密后应遵守此规定） 研究生（签名）：导师（签名）：日期摘 要石墨烯/铜复合材料由于具有基体铜的良好导电性、导热性和易加工成型性 和添加相石墨烯极高的导电性、导热性和机械强度的特点，因而在机械、电子 和能源等行业有着广泛的应用前景。然而，目前石墨烯/铜复合材料的制备主要 存在两个难点，即石墨烯的分散问题和石墨烯与基体铜的润湿性问题。针对以 上难点，本文首先采用化学和氢气还原方法制备 Cu 均匀负载于石墨烯(RGO)片 层上的 Cu@RGO 复合粉体，然后采用等离子活化烧结技术制备 RGO/Cu 复合材 料，并详细研究了 RGO/Cu 复合材料的制备工艺、结构和性能。首先，制备出氧化石墨烯(GO)溶液和纳米 SnO2 晶粒负载于 RGO 上的 RGO/SnO2 溶液，并对它们进行表征。表征结果表明，氧化石墨烯的片层较薄， 能稳定分散于水溶液中，RGO/SnO2 溶液中的纳米 SnO2 晶粒(2-3 nm)均匀地负载 于 RGO 片层上。利用 RGO/SnO2 溶液制备出 Cu@RGO 复合粉体，其中，还原 剂 Vc、NaBH4、Vc+NaBH4 和 CuCl2 浓度对 Cu@RGO 复合粉体的形貌影响明显 不同。结果表明，采用 Vc+NaBH4 作为组合还原剂，当 Vc 溶液浓度为 0.15 mol/L， NaBH4 溶液浓度为 0.01 mol/L 和 CuCl2 溶液浓度为 0.004 mol/L 时，可以制备出 纳米 Cu 颗粒均匀地负载于片层 RGO 上的复合粉体，其中 Cu 的粒径约为 5 nm。 在通 H2 的条件下，Cu@RGO 复合粉体中被氧化的 Cu2O 被还原 Cu，获得的 Cu@RGO 复合粉体中的 Cu 颗粒均匀地负载于 RGO 上，部分 Cu 颗粒有长大。其次，利用等离子活化烧结技术(PAS 烧结技术)实现了 Cu@RGO 粉体与纯 铜粉的混合粉体的烧结致密化，制备出致密的 RGO/Cu 复合材料。烧结工艺参 数(烧结温度、烧结压力和保温时间)对 RGO/Cu 复合材料的致密度有明显的影 响，获得了致密的 RGO/Cu 复合材料的最佳烧结工艺，为 900℃-40MPa-10min， 在此烧结条件下，RGO/Cu 复合材料的致密度可达 98.6%；随着 Cu@RGO 粉体 添加量的增大，RGO/Cu 复合材料的致密度有所下降。其结构表征表明，RGO 在铜基体中分散均匀，并且与铜基体结合紧密。最后，RGO/Cu 复合材料的性能测试结果表明，随着 Cu@RGO 粉体添加量 的增加，RGO/Cu 复合材料的电导率和热导率略有下降，当添加 5 wt.% 的 Cu@RGO 复合粉体时，电导率从纯铜的 57.5 MS/m 下降到 55.2 MS/m，热导率 从 400.39 w.m-1.k-1 下降到 370.54 w.m-1.k-1；但它的压缩屈服强度得到提高，从257.52 MPa 提高到 288.81 MPa。材料性能的变化与它的微观结构有关。关键词：RGO，Cu，复合材料，电导率，热导率，压缩屈服强度IAbstractGraphene/Copper composites has been widely used in machinery, electronic and energy fields, due to its highly electrical conductivity, thermal conductivity and processing formability of Cu and fascinating electrical conductivity, thermal conductivity and mechanical strength of graphene. However, there has two main dif