半导体物理学一4.pptVIP

§1.4 本征半导体的导电机构 空穴 半导体导电机构 在温度T=0K时，导带为空，价带为满带，半导体不导电 导带 价带 空穴的特性和意义？ 第1页/共15页 半导体导电机构 导带 价带 电子 空穴 当温度上升，由于半导体禁带宽度较窄（1eV左右），价带中部分电子被激发到导带中，发生本征激发，导致导带和价带均为不满带，导带中的电子和价带中的电子均可以参与导电。且价带中的电子导电效果用空穴来等效。 第2页/共15页 半导体导电机构 半导体的导电机构—电子和空穴同时参与导电： 电子：是价电子脱离原子束缚后形成的准自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位 半导体中能够导电的电子和空穴被称为载流子，半导体同金属的最大差异，正是由于这两种载流子的作用，使半导体表现出许多奇异的特性，可用来制造形形色色的器件。 第3页/共15页 载流子 载流子的不同特性： 电子：带负电，在导带底具有正的有效质量 空穴：带正电，在价带顶具有正的有效质量 第4页/共15页 空穴的特征—带正电荷 设一个波矢为K的电子被本征激发，在价带顶留下了空穴A。 右图表示，在外电场力f的作用下空穴A与其它价带中的电子一样，在k空间以相同的速率从带顶到带底运动。 即空穴与对应空缺的k状态的电子的运动规律相同 第5页/共15页 空穴的特征—带正电荷 因为价带有一个空态，在外力下存在电流。设为J J=存在A空位的价带电子总电流 设想以一个电子填充到空的k状态，该电子电流为 填入这个电子后价带又被填满,总电流应为零 表明当价带k状态空出时，价带电子的总电流，如同一个正电荷的粒子以k状态电子速度v（k）运动时所产生的电流，因而通常把空穴看做具有正电荷 第6页/共15页 空穴的特征—具有正的有效质量 空穴与对应的空缺k状态的电子的运动规律相同 k状态电子加速度： 由于空穴具有正电荷，它的受力为： 空穴加速度可表示为： 由于空穴一般位于价带顶，在价带顶电子有效质量为负值，所以空穴的有效质量为正 令 即为空穴的有效质量 也就是空穴的加速度 第7页/共15页 空穴概念小结 空穴带一个电子电量的正电荷 空穴位于价带顶，有效质量是一个正常数，它与价带顶附近空态电子有效质量大小相等，符号相反 空穴的运动速度就是价带顶附近空态电子运动速度 空穴的浓度就是价带顶附近空态的浓度p 空穴是一种假想粒子，它概括了未填满价带中大量电子对半导体导电电流的贡献 第8页/共15页 例题1 证明：对于能带中的电子，k状态和-k状态的电子速度大小相等，方向相反，即v(k)=-v(-k),并解释下列两种情况下晶体总电流为零。 ① 无外场力时的能带 ② 有外场力时的满带电子 解： 对一维情况K状态电子的速度为： 第9页/共15页 则： 所以： 因电子占据某个状态的几率只与能量有关，而显然 故电子占有K状态和-k状态的几率相同，即两种状态的电子数量相同 又两个状态的电子运动速度大小相等方向相反，电子电流相互抵消，则电子总电流为0 第10页/共15页 例2 通常，晶格势场对电子的作用力fl不容易测得，但可以通过它与外场力fe的关系得到。证明它们关系为： 第11页/共15页 例3 对与晶格常数为2.5x10-10 m的一维晶格，当外加102 v/m 的电场和10 7 v/m的电场时，分别计算电子自能带底到能带顶所用的时间。 第12页/共15页 代入数据 当电场为102 v/m时，t=8.3x10-8 s 当电场为107 v/m时，t=8.3x10-13 s 第13页/共15页 例4 根据如图所示的能量曲线E(K)的形状试分析， （1）那个能带中，电子有效质量数值最小。 （2）设Ⅰ，Ⅱ为满带，Ⅲ带为空带，若少量电子进入Ⅲ带，在Ⅱ带中产生同样数目的空穴，那么Ⅱ带中空穴的有效质量比Ⅲ带中电子的有效质量大，还是小？ 第14页/共15页 例5 曲线A自由电子的E-K曲线，B为半导体中电子的E-K曲线，画出⑴dE/dk-k曲线，⑵d2E/dk2-k的曲线，⑶说明自由电子有效质量与半导体电子有效质量的不同之处。 第15页/共15页