纳米薄膜的外延生长ppt课件.ppt

* 第六章 外延生长 （Epitaxial Growth） 外延生长（Epitaxial Growth）工艺 ■ ? 概述 ■ ? 气相外延生长的热动力学 ■ ? 外延层的掺杂与缺陷 ■ ? 硅气相外延工艺 ■ ? 小结 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第14章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 外延层 界面 衬底 一、概述 按衬底晶相延伸生长的新生单晶薄层—— 外延层。 长了外延层的衬底 —— 外延片。 ? 同质外延： ? 异质外延： ■ 掺入杂质可改变外延 层的电学特性。 ■ 交替生长不同的外延 层可制作超晶格结构。 1、外延工艺的定义： 在单晶衬底上生长单晶薄膜的技术。 2、 外延工艺的分类： (1) 按材料 三种外延工艺的示意图 (2) 按晶格畸变程度 a.? 气相外延工艺（Vpor-Phase Epitaxy） b.? 液相外延工艺（Liquid-Phase Epitaxy） 超高真空蒸发 3、 外延层的作用：独立控制薄膜晶体结构（组分）、厚度、 杂质种类及掺杂分布 (1) 双极工艺：器件隔离、解决集电极高击穿电压与串连电阻的矛盾 (2) CMOS工艺：减小闩锁（Latch-up）效应 (3) GaAs工艺：形成特定的器件结构层 (4) 其他：制作发光二极管、量子效应器件等 d.? 其他：RTCVD外延、UHVCVD外延、离子束外延等等 c.? 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy） (3) 按工艺原理 二、气相外延生长的热动力学 与氧化模型类似，假设粒子穿过气体边界层的流量 与薄膜生长表面化学反应消耗的反应剂流量相等。 其中，hg是质量传输系数，Ks是表面反应速率系数，Cg和Cs分别是 气流中和圆片表面的反应剂浓度。 外延薄膜生长速率可写为： 其中，N是硅原子密度（5×1023cm-3）除以反应剂分子中的硅原子数。 Ks hg时， R由气相质量传输决定 Ks hg时， R由表面反应速率决定 （以硅外延为例） 1、Deal 模型： 1) Deal模型是一个半定量模型，但它将外延生长过程过于简单化处理： a. 外延与氧化不同，衬底表面和气相中存在多种化学反应过程 b. 存在大量的、影响外延生长（促进或阻碍）的过程 例如： 在Si－H－Cl系统（SiH2Cl2+H2）中， I） SiCl2、SiCl4、SiH2等含硅粒子在衬底表面的形成过程会阻碍硅 外延层的生长； II） Cl的存在会刻蚀吸附在衬底表面的硅原子或衬底表面本身的硅 原子。 2) 因此，需要采用与CVD技术中类似的方法，通过将VPE过程分 成几个连续步骤，来建立描述VPE的更精确的模型。 说 明 6）反应副产物的解吸附。 1) VPE步骤包括： 1）气相分解； 3）吸附； 2）传输到硅片表面； 4）扩散； 5）分解； 2、连续步骤模型 描述生长过程的更精确的模型 注意：VPE中的每一步 骤都可能影响外延生长 的速率，其中进行得最 慢的一步是关键限制因 素。 a. 总反应式： ? 优点：可在低温下进行反应 ? 缺点：气相成核严重，严重影响薄膜质量 b. 气相成核速率：随SiH4分气压提高而急剧上升。 当气相中形成的硅固体颗粒尺寸很小时，由于其表面能量高而 极不稳定，因此，尺寸小于某个临界值的颗粒会发生收缩而消失。 2) 硅烷热分解（600～800℃）中的同质化学反应 该临界尺寸可写为： 其中，U 是表面的界面自由能，V 是原子体 积， σ0 是反应剂的分气压与平衡气压的比 值（称为饱和度）。 I) 气相中颗粒的产生限制了工艺温度下SiH4的最大分气压。 一般采用H2将SiH4稀释到1％～5％。 II) 一般的硅外延工艺采用H2稀释SiHxCl4-x（x=1,2,3）作为馈气。 含Cl越少，工艺温度越低。目前最常用的反应源是SiH2Cl2。 结 论 最先使用的SiCl4的反应温度在1150 ℃以上，已经不再使用。 图14.5 一个大气压下，Cl:H比为0.06 时， Si-Cl-H系统的平衡气压。 a. 混合气体成分：H2、HCl和SiCl2 ， SiCl2是最主要的反应剂。 c. 生长速率(在反应速率限制区)， 其中的c1和c2分别是正向反应速率系数 和逆向反应速率系数。 3） Si-Cl-H系统的生长速率 b. 化学反应 图14.6 生长速率与SiCl4的函数关系，当Cl浓度高时 出现硅的刻蚀现象。 3、超饱和度（supersaturation）模型 (1) 超饱和度的定义： 当超饱和度为正时，系统为超饱和，—— 外延生长； 当超饱和度为负时，系统不饱和，