材料合成与制备技术65.pptVIP

* 讲述内容 6.5.1 激光辐照分子外延 6.5.2 准分子激光蒸发镀膜方法 6.5.3 等离子体法制膜技术 6.5.4 离子束增强沉积表面改性技术 第1页/共26页 * 6.5.1 激光辐照分子外延（LaserMBE） 1．激光分子束外延的基本原理 分子束外延（MBE）成膜过程在超高真空中实现束源流的原位单原子层外延生长，分子束由加热束源得到。 然而，早期的分子束外延不易得到高熔点分子束，并且在气体分压下也不适合制备高熔点氧化物、超导薄膜、铁电薄膜、光学晶体及有机分子薄膜。 第2页/共26页 * 1983年，J. T. Cheng首先提出激光束外延概念，即将MBE系统中束源炉改换成激光靶，采用激光束辐照靶材，从而实现了激光辐照分子束外延生长。 1991年，日本M. Kanai等人提出了改进的激光分子束外延技术（L-MBE），被誉为薄膜研究中重大突破。 第3页/共26页 激光分子束外延示意系统 反射式高能电子衍射仪 四极质谱仪和石英晶体测厚仪等原位监测的超高真空室（10-8Pa） 脉冲激光源为准分子激光器（ArF或KrF），其脉冲宽度约20-40ns，重复频率2-3Hz，脉冲能量大于200mJ。 可旋转的靶托架 有4个靶盒 850-900℃ 第4页/共26页 * 6.5.2 准分子激光蒸发镀膜方法 准分子激光（Excimer laser）是指受到电子束激发的惰性