siccu复合材料界面非晶相对致密化 及相关性能的影响-influence of relative densification and related properties of interface amorphous siccu composites.docxVIP

siccu复合材料界面非晶相对致密化 及相关性能的影响-influence of relative densification and related properties of interface amorphous siccu composites.docx

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siccu复合材料界面非晶相对致密化 及相关性能的影响-influence of relative densification and related properties of interface amorphous siccu composites

原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究所取得的 成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写 过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。 本声明的法律责任由本人承担。学位论文作者: 日期:2016 年 5 月 17 日学位论文使用授权声明本人在导师指导下完成的论文及相关的职务作品,知识产权归属郑州大学。根据郑州 大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的 复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅;本人授权郑州大学可以将本学位论文的全部或 部分编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或者其他复制手段保存论文和汇编本 学位论文。本人离校后发表、使用学位论文或与该学位论文直接相关的学术论文或成果时, 第一署名单位仍然为郑州大学。保密论文在解密后应遵守此规定。学位论文作者:日期:2016 年 5 月 17 日摘 要结构-功能一体化的 SiC/Cu 复合材料有十分广阔的应用前景。但致密化一直 是制约 SiC/Cu 复合材料性能提高的关键因素,而 SiC 颗粒和 Cu 基体的界面结 合状态对致密化和相关性能有很大影响。本课题通过引入界面玻璃相来改善 SiC/Cu 复合材料的界面结合状态,促进致密化,提高力学性能。本文采用包裹法和原料混合法两种制备方法实现 SiC 颗粒在 Cu 基体中的均 匀分散,同时提高界面相容性;改变界面玻璃相的含量,探究玻璃相含量对 SiC/Cu 复合材料的致密化及力学性能影响规律;改变 SiC 颗粒和 Cu 基体的比例, 研究 SiC 颗粒含量对复合材料致密化和力学性能的影响;对 20SiC/80Cu 复合材 料进行高温电阻率测试,探究了界面结合状态、界面层厚度对复合材料高温电 阻率的影响,根据空间电荷极化、界面内电场效应对复合材料的阻温特性进行 分析。实验结果表明:界面玻璃相的加入能够提高 SiC 颗粒和 Cu 基体的界面结 合强度,有效促进 SiC/Cu 复合材料的致密化。玻璃相含量越高,复合材料的最 佳热压烧结温度越低,同时可实现致密化的热压烧结温度范围越宽。相对于原 料混合法,包裹法更有利于 SiC/Cu 复合材料实现致密化,提高力学性能。降低 SiC 颗粒的含量,能够使低玻璃相含量的复合材料在热压烧结条件下实现致密 化,但复合材料的力学性能有较大幅度下降。界面玻璃相含量对 SiC/Cu 复合材 料的力学性能和高温电阻率有很大影响,适当含量的玻璃相能够使复合材料发 生沿 SiC 颗粒和 Cu 基体之间的界面断裂,提高复合材料的力学性能;当玻璃相 含量为 4vol.%时,20SiC/80Cu 复合材料的电阻率变化幅度最大,界面诱导放电 效应最明显。综上可知:界面玻璃相的加入能够改善 SiC/Cu 复合材料的界面结合状态, 有效促进复合材料的致密化。适当含量的玻璃相能够提高复合材料的硬度、抗 弯强度等力学性能,促进 SiC 颗粒空间电荷极化效应和界面诱导放电效应同时 发生。关键词:SiC/Cu 复合材料制备工艺致密化空间电荷极化IAbstractSiC/Cu composites with integrated structural/functional properties will have a very broad application prospect. Densification is the key restricted factor to improve the properties of SiC/Cu composites. The interface bonding state of SiC particles and Cu substrate has a great influence on densification and correlative properties of composites. In order to improve the interface bonding state of SiC/Cu composites, the interface amorphous phase was added.Coating and raw materials mixing methods were used to ensure SiC particles evenly dispersing in Cu substrate. The electrical resistivity of 20SiC/80Cu composites was tested, studying the impact of interface layer thick

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