半导体硅表面无机官能团化的理论研究.pdfVIP

摘要 摘要 作为微电子技术领域的基础与核心，半导体材料的发展倍受关注，而其中半 导体表面的化学修饰因其巨大的潜在应用价值成为一个非常热门的研究领域。当 有机分子通过化学修饰连接到半导体表面时，同时也赋予了半导体在光、电、机 械等诸多方面上优异的性能。在半导体表面有机官能团化的研究过程中，实验方 面可以依据仪器观测结果分析吸附产物的种类，然而对于整个反应的中间历程、 反应机制了解的少之又少，这对半导体材料的发展造成了阻碍，而理论化学正好 弥补了这个不足。本文采用簇模型方法和密度泛函理论计算方法，从理论角度详 问题。研究结果如下： I．1，3一环己二烯在8i(100)-2xl面的吸附机理的研究 (1)1,3．环己二烯在Si(t00)．2xl面上的反应遵循自由基反应机理。 (2) 结果。 II．苯乙烯和苯乙炔在si(111)面的反应机理和选择性研究 与的[4+2]环加成反应，这条反应路径在热力学上和动力学上均最有利。’ 上有利，而利用乙炔基和苯环共同参与的[4+2]环加成反应在动力学上更 有利。因而，可以通过加热使之从动力学控制转变为热力学控制：低温下 反应主要受动力学因素控制，产物主要为[4+2]环加成产物，较高温下反 应主要受热力学因素控制，产物主要为[2+2]环加成产物。 Ⅲ．一些含N有机分子在si(111)面的反应机理和选择性研究 (1)乙腈在sio 优势，主要反应产物为H原子与增原子成键的Si，．_N=C=C1t2产物。 摘要 方面都最有利，因而主要反应产物为N原子与剩原子成键的CN[4+2]-嘞1 成产物。 关键词：化学修饰；密度泛函理论；硅表面 Abstract Abstraet of semiconductorsurfaceisof interestbecause Chemicalmodificationof great of andsemiconductorsis to its expected potentialapplications．Amarriageorganics new molecular resultin device applications，including tothelimitedresolutionof andSOon．Due experimentaltechniques， nanotechnology is thatthe between and however,itbecomingapparent interplay experimental reactions．In iscrucialtobener of surface theoreticalstudies understandingcomplex of functionalclustermodel Oil． this theresultsdensity