硅外表纳米金属薄膜的制备与外表形态分析.pdf

中文摘要 本论文用化学镀(Electroless 线衍射(XRB)等方法对薄膜的制备以及其成核机理进行了研究和表征，实现了由“材料 制备”到“材料分析”的交叉、配套性研究。主要内容包括： 行了系统研究，结果发现刻蚀后的循环伏安图具有更正的沉积电位和更高的沉积电量， 说明刻蚀的硅片具有更高的表面活性，沉积后的薄膜由于与硅表面较强的键合作用使得 沉积的薄膜不易被氧化，电沉积与化学沉积后的AFM图也证明了这一点。对比电沉积与 化学沉积的AFM图，发现刻蚀后的硅片表面在电沉积的条件下可得到表面致密度高的纳 米级Ag膜。 2．本文开创性地利用开路电位～时间曲线的方法对化学沉积过程进行现场分析，当硅 片表面所吸附的Ag+离子浓度被所加入的还原剂还原而减小时，造成开路电位的相应降 低，利用电位变化的AE值，提出了对沉积过程中表面沉积量的研究方法，结果表明经 过催化的表面在化学镀的过程中具有很强的催化性能，沉积量明显高于未经过催化的表 面。提出了表面活性剂在基底表面发生吸附的模型，即表面活性剂可以提高还原剂在基 底上的吸附，证明了随着聚乙二醇聚合度的增加，基底对还原剂的吸附量也同时增加， 所得结果与原子力显微镜在纳米尺寸上的面结构信息结果进行了对比，表明聚乙二醇聚 合度的提高可有效降低表面的粗糙度，得出了理论与实践相一致的结果。 3．首次在硅表面制备了Ag晶籽层，然后再于Ag晶籽层上通过化学镀的方法得到了 表面平整度和纯度很高的Ag膜。首次利用阳极溶出对不同活化时间的硅片进行了分析， 提出了晶籽层的生长是表面生成单层原子的同时又有多层原子生成的层核混合型的成核 模型，通过开路电位时间曲线和原子力显微镜对刻蚀的硅片和活化的硅片在化学镀液中 的沉积过程进行了分析，结果证明活化的硅片表面具有快速的沉积的效率，覆盖度也高 于未经过活化的硅片。对化学镀膜的成核方式进行的研究结果表明为核生长型，对薄膜 的沉积速率进行了研究，同时对化学镀Ag膜的厚度提出了理论计算方法。并利用x射 线能量色散谱，傅立叶红外，X射线光电子能谱等对薄膜进行了表征，结果表明Ag膜在 空气中的具有良好的稳定性。本文提出了在化学镀过程中涡洞的形成的可能机理，创新 性的利用了旋转流体场，离心化学镀等方法有效的减少了表面涡洞，在si表面获得了更 为致密和平滑的纳米级Ag膜，发现在不同离心力的作用下薄膜表面的粗糙度随离心力的 增大而下降，在相同的沉积时间内膜的沉积速度随离心力的增长而增大，同时我们提出 了在离心条件下的薄膜的生长机理，说明采用离心的方法在化学镀领域内有很高研究价 值。 膜，通过对化学镀与电镀的薄膜进行对比，发现化学镀所得到薄膜表面更为平滑。通过 开路电位．时间曲线对化学镀过程中对TiN表面未刻蚀、刻蚀、活化的表面的活性状态进 行了研究，结果表明经过活化后的表面的催化活性最高，刻蚀过的此之，未刻蚀的表面 催化活性最差。 5．利用化学镀的方法在硅片表面制备了NiWP和NiP薄膜，通过热处理后的薄膜表 镀层，热处理后的薄膜的耐蚀性优于没有经过热处理镀层，经过高温热处理后的NiWP 薄膜无论在NaCl溶液中还是在H2S04中都表现出非常强的抗腐蚀性。 6．利用化学镀的方法在硅片表面制备了NiP薄膜，分析了NiP薄膜在硅表面的光电 催化机理，利用阴极化扫描的方法，对不同化学镀时间的NiP薄膜进行了光电催化析氢 的测试，发现在si表面没有完全被覆盖和过度被覆盖时光电催化的性能都没有达到最高， 仅当Si表面恰好完全被覆盖时，具有最强的光电催化特性。 经系统检索，本博士论文在利用开路电位～时间曲线的方法对化学沉积过程进行的现 场分析并提出的对沉积过程中表面沉积量的研究方法，对Ag晶籽和化学镀薄膜在Si表 面的制备，成核过程，薄膜厚度的测量以及离心化学镀等方面的研究等方面具有原创性。 关键词：硅化学镀晶籽循环伏安开路电位表面形貌成核刻蚀腐蚀光催化 Il Abstract of film Thisthesis studiedthenucleationand electrolessmetalon mainly properties silicon the