硫属半导体纳米材料的节制合成微结构和光学性质.pdfVIP

摘萤 摘要 本论文旨在探索硫属半导体纳米材料的制备新方法，研究微结构、生【，机 理和光学性质。实现了在乙二胺～盐酸体系及四氢呋哺体系中的溶液法控制合成 ZnS纳米材料，包括花样纳米结构、单晶纳米片、纳米管和空心纳米球，首次建 立了碳热化学气相沉积法制各ZnS、PbS及se的～维纳米线、纳米带及其组装 结构，并对其反应形成机理、微结构及光学性质进行探讨。同时采用非晶晶化法 和机械化学法分别制备出具有半导体性质的陶瓷及矿物纳米材料，研究其微结构 和光学性质。具体归纳如下： 1实现了在溶液中ZnS纳米材料的形貌控制合成。在乙二胺一盐酸体系中通过 使用不同含量的盐酸，在较低温度下，控制合成了六方相ZnS花样纳米结构和 单晶纳米片，两种结构均出[0011方向取向生长的纳米线规则组装而成。通过考 察实验条件对产物形貌影响及微结构研究，探讨了豁酸的作用。在四氯呋喃体 系中通过加入碳纳米管或少量水，分别合成了立方相的多晶ZnS纳米管和空心 纳米球，它们均由纳米颗粒组成。实验发现，碳纳米管和原位产生的水泡分别 作为硬模板和软模板．限制了纳米颗粒组装的方向和空间。所得多种形貌ZnS 纳米材料的光谱均出现显著的蓝移现象。 米线、纳米带及其组装结构。实验中活性碳与ZnCl2，PbCl2或Se粉等按不同 的摩尔比混合后，加热到500—6000C，常压下即可获得六方相ZnS纳米线及组 装结构、Se纳米线、纳米带及组装和立方相PbS纳米线和超细纳米带。ZnS 和se纳米材料生长完好，少有缺陷，而在PbS纳米线中缺陷较多，存在大量 的∑17、∑5的[oo 结构可分别用气一固、气一液～固及围一液一固的生长机制解释。光学性质中 蓝移现象明显，并观察到Se的带间直接跃迁与问接跃迁吸收及辐射复台发光。 3。采用非晶晶化法制备出0【相Si3Nt纳米线和纳米带，同时得到两种有趣的纳米 中周科学披术人中I珥【学位论义 摘要 结构，即线穿插六方形纳米片及链状结构。再种结构晶格完好，按不同的生长 模式生长而成。热重分析和TEM研究结果表明，这蝗一维结构的形成可用围 一液一固生长机制解释。非晶颗粒日H驱物和单晶一维纳米结构的光学性质研究 结果表明，激发谱的峰位有些不同，但室温‘p荧光光谱有一共同发光峰，位于 --A33nm处，非晶前驱物在285nm激发波长下还可观察到～479nm发光。 4．采用机械化学法，通过研磨NaOH溶液中的PbCl2约2分钟，首次获得四方 相羟氯铅矿(1aurionite)纳米线与纳米带，并考察了实验条件，包括浓度和含 量，对其物相和形貌的影响。微结构研究表明，纳米线与纳米带品格完好，均 沿[0011取向生长。纳米材料的紫外可见吸收谱在紫外波段有较强吸收，并出现 两个明显的峰，分别位于240和290nm处，室温下发光峰位于绿光波段。羟氯 铅矿一维纳米材料呈现出半导体的光学性质，为其新的实际应用提供了可能。 中闻科学技术人学博{j学位论殳 摘要 ABSTRACT Thedissertationfocuson new methodsfor exploringsynthetic nano．scaled and besides semiconductingchalcogens oxides，on chalcogenides characterizing microstructuresandon of sludyingoptical ZnS properties．Avariety nanomaterials， includingflower—like aligned