基于单片机的智能温控风扇毕业论文.doc

基于51单片机的智能温控风扇毕业论文 导读：就爱阅读网友为您分享以下“基于51单片机的智能温控风扇毕业论文”的资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92的支持! 图2 DS18B20外形及管脚 图3 DS18B20内部结构 3.1.2 STC89C52单片机简介 性能：(1)与MCS-51单片机产品兼容 (2)8KFlash字节闪速存储器 (3)1000次擦写周期 (4)全静态操作：0Hz～88Hz ?? (5)32个可编程I/O口线?? (6)三个16位定时器/计数器 (7)八个中断源 (8)全双工UART串行通道 (9)低功耗空闲和掉电模式 (10)掉电后中断可唤醒 VCC：+5V电源线； GND：接地线 P0 口：P0口是一个8位漏极开路的双向 I/O口。作为输出口，每位能驱动8个TTL逻辑电平。对P0端口写“1”时，引脚用作高阻抗输入。当访问外部程序和数据存储器时，P0口也被作为低8位地址/数据复用。在这种模式下，P0具有内部上拉电阻。在flash编程时，P0口也用来接收指令字节；在程序校验时，输出指令字节。程序校验时，需要外部上拉电阻。 P1 口：是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，p1 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P1 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（IIL）。此外，P1.0和P1.2分别作定时器/计数器2的外部计数输入（P1.0/T2）和时器/计数器2的触发输入（P1.1/T2EX），具体如下表1所示。在flash编程和校验时，P1口接收低8位地址字节。 表4 P1口功能 P2 口：P2 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，P2 输出缓冲器能驱动4个TTL 逻辑电平。对P2 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（IIL）。在访问外部程序存储器或用16位地址读取外部数据存储器（例如执行MOVX @DPTR）时，P2 口送出高八位地址。在这种应用中， P2 口使用很强的内部上拉发送1。在使用8位地址（如MOVX @RI）访问外部数据存储器时，P2口输出P2锁存器的内容。在flash编程和校验时，P2口也可接收高8位地址字节和一些控制信号。 P3 口：P3 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，p2 输出缓冲器能驱动4个TTL 逻辑电平。对P3 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（IIL）。P3口亦作为AT89S52特殊功能（第二功能）使用，如上表2所示。在flash编程和校验时，P3口也接收一些控制信号。 表5 P3口功能 RST：复位输入。当震荡器复位器件时，要保持RST脚两个机器周期的高电平状态。 地址锁存允许/ 编程线，当访问片外存储器时，在P0.7~P0.0 线上输出一个高电 引脚线上输出片外存储器低8位地址的同时还在 平脉冲，其下降沿用于把这个片外存储器低8位地址锁存到外部专用地址锁存器，以便空出P0.7~P0.0引脚线去传送随后而来的片外存储器读写数据。在不访问片外存储器时单片机自动在序列。 ：外部程序存储器ROM的选通信号。在由外部程序存储器取指期间， 线上输出频率为1/6晶振频率的脉冲 每个机器周期两次信号将不出现。 有效，但在访问外部数据存储器时，这两次有效的 ：允许访问外部存储器/编程电源线。当保持低电平时，则在此 保持高电平 期间允许使用片外程序存储器，不管是否有内部程序存储器。当 时，则允许使用片外程序存储器。当FIASH编程期间，此引脚也用于施加12V编程电源（VPP）。 XTAL1和XTAL2：片内振荡电路输入线，这两个端子用来外接石英晶体和微调电容，即用来连接单片机内OSC的定时反馈电路。 存储器结构：MCS-51器件有单独的程序存储器和数据存储器。外部程序存储器和数据存储器都可以64K寻址。 程序存储器：如果EA引脚接地，程序读取只从外部存储器开始。对于89S52，如果EA 接VCC，程序读写先从内部存储器（地址为0000H～1FFFH）开始，接着从外部寻址，寻址地址为：2000H