咪唑对钌化学机械抛光的影响_王婕.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 咪唑对钌化学机械抛光的影响_王婕 咪唑对钌化学机械抛光的影响* 王 婕，储向峰，董永平 ，孙文起 ，叶明富 ，白林山 （安徽工业大学 化学与化工学院，安徽 马鞍山 243002） 摘要：利用自制的抛光液，研究了在磷酸体系抛光液中咪唑（imidazole，C3H4N2）浓度和pH值对钌的抛光速率的影响。采用电化学分析方法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了缓蚀剂咪唑对腐蚀效果的影响；采用原子力显微镜（AFM）观察钌片表面的微观形貌。试验结果发现，金属钌在未加入咪唑的磷酸体系抛光液中，抛光速率最高为6.2 nm/min，平均粗糙度（Ra）为10.7 nm；而在抛光液中加入咪唑后，钌的抛光速率为3.9 nm/min，平均粗糙度（Ra） (MRR) in H3PO4 惰性贵金属钌（Ru）化学性质比较稳定，在氧 化条件下仍具有良好的导电性，且跟高介电材料具 有良好的兼容性[1]，可以作为动态随机存储器 （DRAM）设备中的底电极材料，也可作为新的铜 互连阻挡层材料[2-6]。由于材料表面的高平坦化对器 部高校留学回国人员科研项目 作者简介：王婕（1988-），女（汉），江西上饶人，硕士生； 研究方向：化学机械抛光 件高性能、高成品率有着重要的影响，因此DRAM中钌底电极的表面和铜互连阻挡层材料表面需要平坦化，目前化学机械抛光（chemical mechanical polish，CMP）是唯一可以提供全局平坦化的技术，已经成为大规模集成电路制造中必不可少的关键 收稿日期：2012-12-26; 修回日期：2013-05-13; 基金项目：*国家自然科学基金项目;安徽工业大学创新团队项目(TD201204);教育 2013-05-17 10:36网络出版时间：网络出版地址： /kcms/detail/11.3905.TG1036.004.html 引文格式：王婕, 储向峰, 董永平, 等. 咪唑对钌化学机械抛光的影响 [J]. 中国表面工程, 2013, 26(3):p-p. 技术之一[7]。 Lee等[8]采用硝酸铈铵-HNO3抛光液对金属Ru进行CMP，结果表明：金属Ru表面的Ru2O3的去除，促进了RuO2和RuO4生成，提高了其抛光速率。Kim等[9]使用NaIO4作为金属Ru抛光的氧化剂，结果表明：当抛光液pH为4～7时，抛光过程中化学作用起主导作用；当抛光液pH为8～10时，抛光过程中机械作用起主导作用。在以前的工作中，我们[10]利用自制的抛光液，研究了在醋酸体系中氧化剂和络合 剂对钌的去除速率的影响，结果表明金属钌在1% H2O2、1% SiO2和1% CH3COOH抛光液时，抛光速率达到较大值，为7.08 nm/min，但抛光后的钌表面粗糙度不理想。Chen等[11]研究了在过氧化氢体系抛光液中加入H3PO4对金属钽极化曲线的影响，研究结果表明：当加入H3PO4时，阴极曲线比阳极曲线向右移动更多，腐蚀电位和腐蚀电流都增加，即H3PO4属钽的化学作用，H3PO4对提高金属Ru有一定的作用。 前未见报道，的影响被广泛研究[12-13]（BTA果表明：BTA-取降低了H2O2[13]报道了在HNO3）腐蚀的影响，抑制了离子的扩散，从而有效抑制了CuCu的腐蚀而言，咪唑是有效的阴极型缓蚀剂。 鉴于咪唑与BTA的主体结构都是含“-NH”的五元氮杂环，“-NH”中的N原子存在孤对电子能与金属形成共价键和配位键，推测咪唑杂环结构“-NH”中的氢原子可能被钌取代，发生缩合反应，生成的保护膜可以降低氧化剂对金属钌表面的腐蚀作用，从而减小抛光后的表面粗糙度，提高表面质量。在本文中，利用自制的抛光液，研究了在磷酸体系抛光液中咪唑（imidazole，C3H4N2）浓度和pH值对钌的抛光速率和腐蚀效果的影响；采用原子力显微镜（AFM）观察了钌片表面的微观形貌。 1 试验部分 1.1 化学机械抛光试验 试验采用的抛光液主要组成为（质量分数）： 1% SiO2、1% H2O2、1% H3PO4及咪唑（C3H4N2）， 其中咪唑的浓度分别为0 mol/L、0.5×10-3 mol/L、1.0×10-3 mol/L、3.0×10-3 mol/L、5.0×10