铁电薄膜的制备及其在器件中的应用.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 铁电薄膜的制备及其在器件中的应用 第21卷第2期2002年6月山东科技大学学报(自然科学版) JournalofShandongUniversityofScienceandTechnology(NaturalScience) Vol.21№2Jun.2002 文章编号:1000-2308(2002)02-0014-03 ,,Ξ 摘　要:,。重点介绍了铁电薄膜。指出了目前铁电薄膜及器件设计研究需要重点解决的一些问题。 关键词:铁电薄膜;制备;应用;薄膜器件中图分类号:O484.1 文献标识码:A PreparationofFerroelectricThinFilmsandTheirApplicationsinDevices ZHANGLu2yin,HUXiao2jun (CollegeofEngineering,SUST,Taian271021,China) Abstract:Recentstudiesonferroelectricthinfilmsarereviewed.Theadvantagesanddisadvantagesofdif2ferentmethodsforpreparingferroeleectricthinfilmsarediscussed.Applicationsofthefilms,especiallyinferroelectricmemoriesandpyroelectricinfrareddetectorsaredescribed.Somekeyproblemsneededtobesolvedintheirdesignanddeveolopmentarepointedout. Keywords:ferroelectricthinfilms;preparation;application;thinfilmdevcices 　　铁电体是具有自发极化,而且自发极化矢量的取向能随外电场的改变而改变方向的材料。这 类材料的主要特征是具有铁电性,即电极化强度与外电场之间具有电滞回线的关系。具有铁电性且厚度尺寸为数十纳米到数微米的膜材料叫铁电薄膜,它具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学等特性,可广泛应用于微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域,成为国际上新型功能材料研究的一个热点。自50年代中期,人们就试图制备铁电薄膜和铁电存储器。由于受当时薄膜工艺技术的限制,铁电存储 μm左右,完成电畴反转单元的厚度只能薄至100 所需要的开关电压高达100V,这与集成电路(IC)的源电压(5V)相差甚远,将使存储单元占据很大的空间,大大降低了存储度。此外,由于铁电材料 (即在一个单的疲劳和存储单元间的“干扰脉冲” 元寻址时,邻近单元有时也会突然发生开关)等问 题,铁电存储器的研究未能深入下去。80年代中期以来,铁电薄膜制备技术出现了一系列突破,发展了多种制备薄膜的方法。如Sol-Gel凝胶法??脉冲激光沉积法(PLD)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等方法,成功地制备出性能优良的铁电薄膜,即使膜厚薄至70nm,仍然具有良好的铁电性,很容易工作在3—5V的电压下,可以与硅或GaAs电路相集成。因此,铁电薄膜制备工艺技术与IC工艺技术的兼容成为可能,这大大地促进了铁电薄膜的制备与器件应用研究的发展。 近年来,在铁电薄膜的基础研究和应用基础研究方面取得一些令人振奋的进展。本文将综合 Ξ收稿日期:2001-11-06 作者简介:张鲁殷(1959-),男,河北唐山人,副教授,从事物理教学与研究工作. 第2期 　　15近几年国内外有关铁电薄膜的研究报道,对铁电薄膜材料及器件应用研究的最新进展进行评述,重点介绍铁电薄膜在铁电存储器及热释电红外探测器方面的应用。 Gel凝胶法;(2)MOCVD法;(3)PLD法;(4)溅射 法。上述制备方法中,每一种都有自身的特点,下面对此作一简要评述。2.1　Sol-Gel凝胶法 Sol-Gel凝胶法是将金属的醇盐或其他有机 1　铁电薄膜材料 从晶体结构来看,目前研究的铁电薄膜材料 有4种:(1)含氧八面体的;(2)含氧键的;(3)含氟八面体的;(4)含其他离子