含硅化合物多孔薄膜和纳米线的原位转化合成及其物性.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 含硅化合物多孔薄膜和纳米线的原位转化合成及其物性 常州大学本科毕业设计（论文） 化学气相沉积法制备SiC纳米线及其光致发光谱性质研究 摘 要 用多孔硅作为硅源可以大量合成碳化硅纳米线。对实验生成的碳化硅纳米线，用X射线衍射仪，场发射扫描电子显微镜，透射电子显微镜来进行分析表征。“液-固”相机理在SiC纳米线的合成中起了关键作用。 用发光光谱测量实验中的SiC纳米线。对于SiC纳米线在室温左右的发光光谱，364nm处的紫外辐射可能是由于过剩氧缺陷的辐射复合造成的。 关键词：纳米线，β-SiC,化学气相沉积，气 -固机理 Synthesis and Photoluminescence of SiC Nanowires Using Porous Silicon as Si Element Source Abstract SiC nanowires (NWs) have been synthesized in high yield using p