交替掺杂ba0.6sr0.4tio3薄膜制备及界面结构研究-preparation and interfacial structure of alternating doped ba 0.6 sr 0.4 tio 3 thin films.docxVIP

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交替掺杂ba0.6sr0.4tio3薄膜制备及界面结构研究-preparation and interfacial structure of alternating doped ba 0.6 sr 0.4 tio 3 thin films

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。作者签名:日期:年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名:导师签名: 日期:年月日摘要摘 要钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,BST)薄膜,其厚度在纳米级到微米级,是一种典型的 应用范围极广的铁电材料。在外加电压下,BST 薄膜的介电常数易于调节,且具 有高的调谐率。BST 薄膜的调谐率是衡量其非线性的一个重要指标,对于微波调 谐器件,例如滤波器和移相器等,是一种极具潜力的应用材料。微波调谐器件还 要求 BST 薄膜材料具有非常低的损耗,因此,探索调谐率高且损耗低的 BST 薄膜 具有非常重要的研究意义。本论文主要研究溶胶凝胶(Sol-gel)法制备的镁钾二元交替掺杂 Ba0.6Sr0.4TiO3 薄 膜的界面结构,进而研究 BST 薄膜的介电性能。围绕提高 BST 薄膜介电性能而展开,结合当前优化 BST 薄膜介电性能的研究,对镁钾不同交替掺杂顺序 BST 薄膜 的掺杂浓度和薄膜层数进行研究。利用 XRD、XPS 和 SEM 等方法对薄膜相结构、 表面成分以及表面和横断面形貌进行表征,并就相关工艺、成分、结构及介电性能之间的关系进行研究。首先,通过 SEM,对未掺杂、镁钾一元掺杂和镁钾交替掺杂三种 BST 薄膜样 品的表面和横断面进行表征。研究在不同掺杂方式下,BST 薄膜的界面结构如何变化。研究不同镁钾交替掺杂顺序、交替掺杂浓度和薄膜层数对 BST 薄膜界面结 构的影响。其次,为了验证交替掺杂 BST 薄膜的界面结构,研究镁钾一元掺杂和交替掺杂两种 BST 薄膜介电性能的变化。研究发现,交替掺杂 BST 薄膜既具有高的调谐 率也具有低的损耗,并结合 XRD、XPS 和 SEM 界面结构对交替掺杂 BST 薄膜可 调性和介电损耗进行分析。最后,针对镁钾二元交替掺杂 BST 薄膜的介电性能,结合薄膜界面结构、表 面元素化学态和相结构分析,进行掺杂浓度和薄膜层数的优化研究。研究发现, 在掺杂浓度为 10mol%时,镁钾二元交替掺杂 BST 薄膜的调谐率较高且损耗比较低,综合介电性能最佳。在进行 Mg/K-BST 薄膜层数研究时,对其介电性能、介 电偏压特性、频率特性进行了分析,并研究偶数层 K/Mg-BST 薄膜结构和介电性 能的影响,发现 6 层镁钾交替掺杂 BST 薄膜具有良好的介电性能。关键词:钛酸锶钡薄膜,交替掺杂,界面结构,介电性能IABSTRACTABSTRACTBarium strontium titanate (Ba1-xSrxTiO3, BST) thin film is a typical ferroelectric material widely used with a thickness range from nm to μm. Under the applied voltage, the dielectric constant of BST film can be adjustable in a certain range, which can make the tunability higher. The tunability of BST thin film is an important index to measure the nonlinear, so the film of BST is a good candidate for tunable microwave devices, such as filter and phase shifter. Moreover, those tunable microwave devices also require the film of BST with very low loss. Therefore, it is very important to explore new BST thin film with high tunability and low dielectric loss.In order to stud

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