材料加工专业优秀论文 高岭石—葡萄糖插层复合物原位制备sialon材料.docVIP

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材料加工专业优秀论文 高岭石—葡萄糖插层复合物原位制备sialon材料.doc

材料加工专业优秀论文 高岭石—葡萄糖插层复合物原位制备Sialon材料 关键词:十二烷基胺 高岭石-葡萄糖 插层复合物 无压烧结 Sialon陶瓷材料 原位制备 压制成型 摘要:本文利用极性有机大分子十二烷基胺插层高岭石,葡萄糖层间取代的方法合成高岭石-葡萄糖插层复合物。以高岭石-葡萄糖插层复合物为前驱体,采用原位碳热还原、氮化反应技术合成了Sialon粉体。进一步对Sialon粉体压制成型和无压烧结,以获得了致密的Sialon陶瓷材料。并运用XRD、FT-IR、TG、DSC等技术表征反应过程和产物特征。 本论文主要获得了以下研究成果: 1、经十二烷基胺插层后,高岭石的damp;lt;,001amp;gt;值由0.717nm增加为2.280nm,层间距增加1.563nm,插层率为70%。十二烷基胺以NH基团与高岭石四面体Si-O基形成氢键。高岭石/十二烷基胺插层复合物在215℃以下是稳定的。 2、葡萄糖取代十二烷基胺后,高岭石的damp;lt;,001amp;gt;值增加为3.363 nm衍射峰,使高岭石层间域扩大2.646 nm,插层率为87%。葡萄糖以C=O基团与高岭石内表面羟基形成氢键,复合物在250℃以下是稳定的。 3、以高岭石.葡萄糖插层复合物为前驱体,采用原位碳热还原、氮化反应技术,在1450℃保温4小时,500ml/minNamp;lt;,2amp;gt;流量的反应条件下合成了Sialon粉体,产物中结晶相主要有:Sialon相(以β-Sialon为主)和少量莫来石。 4、以高岭土为主要原料,采用碳热还原、氮化反应合成的Sialon粉末为主要原料,分别添加8.5%Alamp;lt;,2amp;gt;Oamp;lt;,3amp;gt;-1.5%Yamp;lt;,2amp;gt;Oamp;lt;,3amp;gt;和8.5%Siamp;lt;,3amp;gt;Namp;lt;,4amp;gt;-1.5%Yamp;lt;,2amp;gt;Oamp;lt;,3amp;gt;(均为质量分数,%)系两种烧结助剂后进行充分混合,混合物粉末在钢模中冷压成两种压坯试样,然后在Namp;lt;,2amp;gt;气氛中分别在1650℃保温4h和1550℃保温4h进行无压烧结,获得了致密的Sialon陶瓷材料。试样的体积密度分别达到最高值3.1g/cmamp;lt;amp;#39;3amp;gt;和3.02g/cmamp;lt;amp;#39;3amp;gt;);显微硬度分别为1639 Hv/GPaamp;lt;,0.5amp;gt;和1651Hv/GPaamp;lt;,0.5amp;gt;。 正文内容 本文利用极性有机大分子十二烷基胺插层高岭石,葡萄糖层间取代的方法合成高岭石-葡萄糖插层复合物。以高岭石-葡萄糖插层复合物为前驱体,采用原位碳热还原、氮化反应技术合成了Sialon粉体。进一步对Sialon粉体压制成型和无压烧结,以获得了致密的Sialon陶瓷材料。并运用XRD、FT-IR、TG、DSC等技术表征反应过程和产物特征。 本论文主要获得了以下研究成果: 1、经十二烷基胺插层后,高岭石的damp;lt;,001amp;gt;值由0.717nm增加为2.280nm,层间距增加1.563nm,插层率为70%。十二烷基胺以NH基团与高岭石四面体Si-O基形成氢键。高岭石/十二烷基胺插层复合物在215℃以下是稳定的。 2、葡萄糖取代十二烷基胺后,高岭石的damp;lt;,001amp;gt;值增加为3.363 nm衍射峰,使高岭石层间域扩大2.646 nm,插层率为87%。葡萄糖以C=O基团与高岭石内表面羟基形成氢键,复合物在250℃以下是稳定的。 3、以高岭石.葡萄糖插层复合物为前驱体,采用原位碳热还原、氮化反应技术,在1450℃保温4小时,500ml/minNamp;lt;,2amp;gt;流量的反应条件下合成了Sialon粉体,产物中结晶相主要有:Sialon相(以β-Sialon为主)和少量莫来石。 4、以高岭土为主要原料,采用碳热还原、氮化反应合成的Sialon粉末为主要原料,分别添加8.5%Alamp;lt;,2amp;gt;Oamp;lt;,3amp;gt;-1.5%Yamp;lt;,2amp;gt;Oamp;lt;,3amp;gt;和8.5%Siamp;lt;,3amp;gt;Namp;lt;,4amp;gt;-1.5%Yamp;lt;,2amp;gt;Oamp;lt;,3amp;gt;(均为质量分数,%)系两种烧结助剂后进行充分混合,混合物粉末在钢模中冷压成两种压坯试样,然后在Namp;lt;,2amp;gt;气氛中分别在1650℃保温4h和1550℃保温4h进行无压烧

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