ZnO：Ga晶体对质子的响应.pdfVIP

第43卷第9期 原 子 能 科 学 技 术 Vo1．43，NO．9 2009年9B AtomicEnergyScienceandTechnology Sep．2009 ZnO：Ga晶体对质子的响应 马彦良，欧阳晓平 ，张忠兵 ， 王 兰 ，刘林月 ，潘洪波 ，陈 亮 ，张景文 (1．西北核技术研究所，陕西 西安 710024；2．西安交通大学，陕西 西安 710049) 摘要 ：对 ZnO：Ga晶体进行质子辐照实验研究，得到对脉冲质子 的响应波形和发光强度随质子能量 的变 化关系，并对实验现象和结果进行 了分析 。结果表明，该晶体对质子束具有很好 的响应特性，与快速光 电探测器相结合，可作为反冲质子探测元件，用于脉冲中子探测。 关键词：ZnO：Ga；无机晶体 ；质子辐照 ；响应波形 中图分类号 ：TL816；0739 文献标志码 ：A 文章编号 ：1000—6931(2009)09—0848～03 ResponseofZnO ：GaCrystaltoProtonBeam MA Yah—liang ，OUYANG Xiao—ping ，ZHANG Zhong～bing ， WANG Lan ，LIU Lin—yue，PAN Hong o ，CHEN Liang ，ZHANG Jing—wen。 (1．NorthwestInstituteofNuclearTechnology，xi’an710024，China； 2．Xi’anJiaotongUniversity，xi’an710049，China) Abstract：TheexperimentofZnO ：Gacrystaltopulsedprotonwasperformed．Thetime responsetoprotonsandrelationshipbetween theluminescenceintensity ofcrystaland theproton energy wereobtained． Thephenomena and resultswereanalysed。 The resultsshow thatthecrystalhasagoodresponsetoproton beam ，andcanbeused to detectpulsedneutronsinrecoilprotonsystem withfastphotodevice． Keywords：ZnO ：Ga；inorganiccrystal；protonradiation；responsecurve 中子不带 电荷，不能直接 引起物质电离而 射 中子的响应小 ，且可通过光电倍增管便捷地 被探测 ，探测 中子必须借助其与原子核发生相 调节探测系统的中子灵敏度。ZnO：Ga晶体能 互作用而产生 的次级带 电粒子。通常 ，用于 中 否接收反冲质子用于脉冲中子探测以及大剂量 子探测的方法有：核反应法、核反冲法、核裂变 长时间的重粒子辐照是否会带来辐射损伤 ，是 法与核激活法 。反应产物包括裂变碎片、a粒 需要研究的课题 。ZnO：Ga薄膜通过磁控溅射 子、氘核、氚核和质子等带电粒子 。反冲质子法 生长 ，厚度为 300pm，发光 中心波长为385nm。 通常使用的是 PIN探测器[1]，而 ZnO：Ga晶体 光电倍增管选用 的是 EMI9815。利用 4～ 较 PIN探测器突出的优点是时间响应快，对散 26MeV的脉冲和直流质子束进 行实验 ，记录 收稿 日期 ：2008—06—04；修 回日期 ：2008—12—23 作者简介 ：马彦 良(1975～)，男，陕西子洲人，副研究员，博士研究生，核技术及应用专业 第9期